[发明专利]一种存储器及其制备方法、存储系统

说明书

本发明公开了一种存储器及其制备方法、存储系统，先在衬底上形成堆叠层，该堆叠层包括第一区域和与第一区域相邻的第二区域。再在堆叠层上形成图案化硬掩模层，该图案化硬掩模层中形成有覆盖第一区域的第一停止层，该图案化硬掩模层包括位于第一停止层上的第一开口图案，以及位于堆叠层上对应第二区域的沟道孔图案。最后基于图案化硬掩模层对堆叠层进行刻蚀，以在第二区域形成沟道孔。第一停止层可以保证第一区域的堆叠层不被刻蚀。在刻蚀堆叠层时，在需要形成沟道孔的区域和不需要形成沟道孔的区域的交界处，可以减少残留物分子聚集在交界处对堆叠层的刻蚀造成影响，进而可以改善第二区域边缘的沟道孔刻蚀工艺，降低刻蚀难度。

技术领域

本发明总体上涉及电子器件领域，并且更具体的，涉及一种存储器及其制备方法、存储系统。

背景技术

在3D NAND中，沟道孔呈阵列排布，且被多条栅线缝隙划分为多个存储块或存储指。一般，在任意相邻的两条栅线缝隙之间可以排布多排沟道孔(例如9排)，且多排沟道孔之间的间距相等，与栅线缝隙相邻的沟道孔可以称为外排孔(可以包括一排或两排或更多排)。

外排孔在刻蚀工艺中，容易出现各种问题，沟道孔的刻蚀难度较大。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种存储器及其制备方法、存储系统，旨在改善第二区域边缘的沟道孔刻蚀工艺，降低刻蚀难度。

第一方面，本发明实施例提供一种存储器的制备方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括沿第一方向延伸的第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域；

在所述堆叠层上形成图案化硬掩模层，所述图案化硬掩模层中形成有覆盖所述第一区域的第一停止层，所述图案化硬掩模层包括位于所述第一停止层上的第一开口图案，以及位于所述堆叠层上对应所述第二区域的沟道孔图案；

基于所述图案化硬掩模层对所述堆叠层进行刻蚀，以在所述第二区域形成对应所述沟道孔图案的沟道孔。

进一步，所述第一停止层相对于所述图案化硬掩模层的刻蚀选择比小于1。

进一步，所述第一区域用于形成栅线缝隙。

进一步，所述堆叠层还包括位于所述第二区域外围的第三区域；所述图案化硬掩模层中形成有覆盖所述第三区域的第二停止层；所述图案化硬掩模层还包括：

位于所述第二停止层上的第二开口图案。

进一步，所述第一开口图案和所述第二开口图案采用同一张掩模版形成。

进一步，所述第三区域围绕所述第二区域的四周。

进一步，所述在所述堆叠层上形成图案化硬掩模层的步骤包括：

在所述堆叠层上形成硬掩模层，所述硬掩模层中形成有所述第一停止层；

对所述硬掩模层进行刻蚀，以形成所述第一开口图案和所述沟道孔图案。

进一步，所述第一停止层离所述硬掩模层的底面的距离，小于所述第一停止层离所述硬掩模层的顶面的距离。

进一步，所述在所述堆叠层上形成硬掩模层的步骤，包括：

在所述堆叠层上形成第一硬掩模层；

刻蚀所述第一硬掩模层，以形成对应所述第一区域的开口；

在所述开口中填充第一停止层；

形成覆盖所述第一硬掩模层和所述第一停止层的第二硬掩模层。

进一步，所述开口的深度小于所述第一硬掩模层的厚度。