[发明专利]半导体制造方法在审

专利信息
申请号: 202210524087.7 申请日: 2022-05-13
公开(公告)号: CN115097702A 公开(公告)日: 2022-09-23
发明(设计)人: 曾郁玲;曾楷伦;罗元彦;李培诰;吴承昱 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F7/30 分类号: G03F7/30;H05F3/02
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体制造方法,操作于一半导体晶圆上,该半导体制造方法包括:

通过使一去离子水流过一非金属管道并流到该半导体晶圆上,以对该半导体晶圆进行一去离子水冲洗;以及

在该去离子水冲洗过程中,经由设置在该非金属管道的一外侧的一导电材料释放流过该非金属管道的该去离子水中的静电荷;

其中,设置在该非金属管道的该外侧的该导电材料电接地。

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