[发明专利]存储装置在审
申请号: | 202210526718.9 | 申请日: | 2022-05-16 |
公开(公告)号: | CN115910158A | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 吴银珠;昔浚荣;宋英杰;张炳哲 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/04 | 分类号: | G11C16/04;G11C16/24 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张逍遥;杨帆 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 | ||
1.一种存储装置,所述存储装置包括:
NAND闪速存储器装置;
辅助存储器装置;以及
存储控制器,被配置为控制NAND闪速存储器装置和辅助存储器装置,
其中,存储控制器包括:
处理器,被配置为执行加载到存储控制器的片上存储器上的闪速转换层;
纠错码引擎,被配置为:基于与NAND闪速存储器装置的目标页相关的目标存储器区域的错误属性,针对要存储在目标页中的数据生成一个或更多个第一奇偶位;以及在处理器的控制下,针对所述数据选择性地生成一个或更多个附加奇偶位;以及
存储器接口,被配置为:将所述数据和所述一个或更多个第一奇偶位发送到NAND闪速存储器装置;以及选择性地将所述一个或更多个附加奇偶位发送到辅助存储器装置。
2.如权利要求1所述的存储装置,其中,纠错码引擎被配置为:
基于目标页对应于正常页,通过使用奇偶矩阵的第一子矩阵对所述数据执行纠错码编码来生成所述一个或更多个第一奇偶位,正常页具有等于或小于参考值的第一错误发生概率;以及
基于目标页对应于坏页,通过使用奇偶矩阵的第一子矩阵和第二子矩阵对所述数据执行纠错码编码来生成包括所述一个或更多个第一奇偶位和所述一个或更多个附加奇偶位的第二奇偶位,坏页具有大于所述参考值的第二错误发生概率。
3.如权利要求2所述的存储装置,其中,存储器接口被配置为:
基于目标页对应于正常页,将所述数据和所述一个或更多个第一奇偶位发送到NAND闪速存储器装置;以及
基于目标页对应于坏页,将所述一个或更多个附加奇偶位发送到辅助存储器装置。
4.如权利要求2所述的存储装置,其中,闪速转换层包括:错误属性管理器,被配置为管理NAND闪速存储器装置的多个存储器区域中的每个的错误属性。
5.如权利要求4所述的存储装置,其中,错误属性管理器被配置为基于指定目标页的地址向处理器和纠错码引擎提供指示目标页是否对应于坏页的错误标志。
6.如权利要求2所述的存储装置,其中,纠错码引擎被配置为在读取操作中基于目标页对应于正常页,对从NAND闪速存储器装置读取的所述数据和所述一个或更多个第一奇偶位执行第一模式的纠错码解码,以纠正所述数据的错误。
7.如权利要求6所述的存储装置,其中,纠错码引擎被配置为在读取操作中基于目标页对应于坏页,对从NAND闪速存储器装置读取的所述数据和所述一个或更多个第一奇偶位以及从辅助存储器装置读取的所述一个或更多个附加奇偶位执行第二模式的纠错码解码,以纠正所述数据的错误。
8.如权利要求1所述的存储装置,其中,目标存储器区域对应于NAND闪速存储器装置的存储器单元阵列的存储器块、字线和页中的一者或更多者。
9.如权利要求1所述的存储装置,其中:
辅助存储器装置的存取单位小于NAND闪速存储器装置的存取单位;
辅助存储器装置的存取单位对应于单字节和多字节中的一者;并且
NAND闪速存储器装置的存取单位对应于页。
10.如权利要求1所述的存储装置,其中,辅助存储器装置的写入操作或读取操作的等待时间小于NAND闪速存储器装置的写入操作或读取操作的等待时间。
11.如权利要求1所述的存储装置,其中:
辅助存储器装置包括Z-NAND、相变随机存取存储器、磁性随机存取存储器和动态随机存取存储器中的一种;
存储控制器被配置为并行地对NAND闪速存储器装置执行与所述数据和所述一个或更多个第一奇偶位相关的写入操作或读取操作以及对辅助存储器装置执行与所述一个或更多个附加奇偶位相关的写入操作或读取操作;并且
对NAND闪速存储器装置的写入操作或读取操作的执行间隔和对辅助存储器装置的写入操作或读取操作的执行间隔部分地重叠。
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