[发明专利]存储装置

说明书

提供了一种存储装置，所述存储装置包括NAND闪速存储器装置、辅助存储器装置和用于控制NAND闪速存储器装置和辅助存储器装置的存储控制器。存储控制器包括处理器、纠错码(ECC)引擎和存储器接口。处理器执行加载到片上存储器上的闪速转换层(FTL)。ECC引擎基于与NAND闪速存储器装置的目标页相关的目标存储器区域的错误属性来生成用于要存储在目标页中的用户数据的第一奇偶位，并且在处理器的控制下针对用户数据选择性地生成附加奇偶位。存储器接口将用户数据和第一奇偶位发送到NAND闪速存储器装置，并且选择性地将附加奇偶位发送到辅助存储器装置。

本申请基于并要求于2021年8月17日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2021-0107892号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

示例实施例总体上涉及存储器装置，更具体地涉及存储装置和操作存储装置的方法。

背景技术

半导体存储器装置被分类为易失性存储器和非易失性存储器。

当关闭给易失性存储器的电力时，存储在易失性存储器中的内容会丢失。另一方面，即使在断电期间，非易失性存储器也可以保持存储的内容。闪速存储器是一种类型的非易失性存储器装置，其可以具有以下优点：大存储容量、相对高的噪声抗扰度以及低电力操作。因此，闪速存储器装置被用于各种领域。例如，诸如智能电话或平板PC的移动系统采用闪速存储器作为存储介质。

当闪速存储器装置的制造工艺缩小且闪速存储器装置的存储器单元堆叠时，存储器单元劣化且存储器单元的数据保持特性劣化。

发明内容

一些示例实施例提供了一种能够增强存储器单元的数据保持特性的存储装置。

根据公开的方面，提供了一种存储装置，所述存储装置包括：NAND闪速存储器装置；辅助存储器装置；以及存储控制器，被配置为控制NAND闪速存储器装置和辅助存储器装置，其中，存储控制器包括：处理器，被配置为执行加载到存储控制器的片上存储器上的闪速转换层(FTL)；纠错码(ECC)引擎，被配置为：基于与NAND闪速存储器装置的目标页相关的目标存储器区域的错误属性，针对要存储在目标页中的数据生成一个或更多个第一奇偶位；以及在处理器的控制下，针对所述数据选择性地生成附加奇偶位；以及存储器接口，被配置为：将所述数据和所述一个或更多个第一奇偶位发送到NAND闪速存储器装置；以及选择性地将所述一个或更多个附加奇偶位发送到辅助存储器装置。

根据公开的另一方面，提供了一种存储装置，所述存储装置包括：第一NAND闪速存储器装置；辅助存储器装置；以及存储控制器，被配置为控制第一NAND闪速存储器装置和辅助存储器装置，其中，存储控制器包括：处理器，被配置为执行加载到片上存储器上的闪速转换层(FTL)；纠错码(ECC)引擎，被配置为：基于与第一NAND闪速存储器装置的目标页相关的目标存储器区域的错误属性并且基于目标页对应于正常页，针对要存储在目标页中的数据生成一个或更多个第一奇偶位；以及基于目标页对应于坏页，针对所述数据生成包括所述一个或更多个第一奇偶位和一个或更多个附加奇偶位的第二奇偶位；以及存储器接口，被配置为，基于目标页对应于坏页：将包括所述数据和第二奇偶位的码字的第一部分发送到第一NAND闪速存储器装置；以及将码字的第二部分发送到辅助存储器装置，其中，正常页的第一错误发生概率等于或小于参考值，坏页的第二错误发生概率大于参考值。