[发明专利]多层板前开盖位置碳粉残留的去除方法

权利要求书

1.一种多层板前开盖位置碳粉残留的去除方法，其特征在于，包括：

获取经过前开盖处理和镀碳膜处理的第一多层板；

在所述第一多层板上压合干膜，得到第二多层板；

对所述第二多层板依次进行局部干膜显影和局部镀铜，得到第三多层板；

对所述第三多层板进行去膜处理，并采用等离子蚀刻方法，对去膜处理后的所述第三多层板上的碳粉残留进行处理，得到目标多层板。

2.根据权利要求1所述的多层板前开盖位置碳粉残留的去除方法，其特征在于，所述获取经过前开盖处理的第一多层板，包括：

提供初始多层板；

在所述初始多层板上，分别预设镀铜区和前开盖区；

基于所述前开盖区，对所述初始多层板进行前开盖处理；

对经过前开盖处理后的所述初始多层板进行镀碳膜处理，得到所述第一多层板。

3.根据权利要求2所述的多层板前开盖位置碳粉残留的去除方法，其特征在于，所述在所述第一多层板上压合干膜，得到第二多层板，包括：

在所述第一多层板的两个侧面上均压合一层干膜，使得所述第一多层板上的所述镀铜区和所述前开盖区均被干膜覆盖，得到所述第二多层板。

4.根据权利要求3所述的多层板前开盖位置碳粉残留的去除方法，其特征在于，所述对所述第二多层板依次进行局部干膜显影和局部镀铜，得到第三多层板，包括：

对所述第二多层板的所述镀铜区上的干膜，依次进行显影处理和曝光处理，使得所述镀铜区裸露出来；

在显影处理后的所述第二多层板的所述镀铜区上进行镀铜，得到所述第三多层板。

5.根据权利要求1所述的多层板前开盖位置碳粉残留的去除方法，其特征在于，所述对所述第三多层板进行去膜处理，并采用等离子蚀刻方法，对去膜处理后的所述第三多层板上的碳粉残留进行处理，包括：

去除所述第三多层板上的干膜，使得所述第三多层板在所述前开盖区上的所述碳粉残留裸露出来；

利用预设的等离子体环境，采用等离子蚀刻方法，对去膜处理后的所述第三多层板进行蚀刻。

6.根据权利要求5所述的多层板前开盖位置碳粉残留的去除方法，其特征在于，所述利用预设的等离子体环境，采用等离子蚀刻方法，对去膜处理后的所述第三多层板进行蚀刻之前，还包括：

设置真空交变电场，并将去膜处理后的所述第三多层板放入所述真空交变电场中；

在所述真空交变电场中充入氮气、氧气和CF4气，得到预设的所述等离子体环境。

7.根据权利要求6所述的多层板前开盖位置碳粉残留的去除方法，其特征在于，所述在所述真空交变电场中充入氮气、氧气和CF4气，包括：

按照第一预设流量配比，在所述真空交变电场中，分别充入所述氧气和所述氮气；

在第一预设时长后，按照第二预设流量配比，在所述真空交变电场中，分别充入所述氧气、所述氮气和所述CF4气；

在第二预设时长后，在所述真空交变电场中，停止充入所述氮气和所述CF4气，并按照第三预设时长，维持所充入的所述氧气。

8.根据权利要求7所述的多层板前开盖位置碳粉残留的去除方法，其特征在于，所述氧气和所述氮气之间的所述第一预设流量配比为3:1，和/或，所述氧气、所述氮气和所述CF4气之间的第二预设流量配比为8:1:1。

9.根据权利要求7所述的多层板前开盖位置碳粉残留的去除方法，其特征在于，所述第一预设时长大于或等于2min，和/或，所述第二预设时长小于或等于10min，和/或，所述第三预设时长大于或等于2min。

10.根据权利要求1至9任一项所述的多层板前开盖位置碳粉残留的去除方法，其特征在于，所述对去膜处理后的所述第三多层板上的碳粉残留进行处理之后，还包括：

采用线路成型、阻焊油墨和沉金的制程，对碳粉残留处理后的所述第三多层板进行处理，得到所述目标多层板。