[发明专利]一种金属卤化物在制备加速器束流探测器闪烁体中的应用

权利要求书

1.一种金属卤化物在制备加速器束流探测器的闪烁体中的应用，所述闪烁体由金属卤化物单晶薄片或金属卤化物微晶制备得到；所述微晶是尺寸为5纳米～200微米的晶粒，其占闪烁体总质量的25％-95％；所述金属卤化物为钙钛矿、双钙钛矿或钙钛矿衍生物。

2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述钙钛矿的化学式为L₂(SMX₃)_n-1MX₄；其中M是二价金属阳离子，L是长链有机阳离子，S为一价阳离子，X为卤族元素Cl、Br、I中的任意一种或几种，n＝1,2,……，∞是有机绝缘层内的半导体MX₄层数，其中n＝∞为具有SMX₃结构的3D钙钛矿；所述双钙钛矿化学式为A₂BCX₆，其中A和B是一价阳离子中的一种或几种，C是三价阳离子中的一种或几种，X为卤族元素Cl、Br、I中的任意一种或几种；钙钛矿衍生物为Cs₄SnBr₆、Cs₄SnI₆、Cs₄SnCl₆、Cs₃Bi₂I₉、Cs₃Sb₂I₉、Cs₃Sb₂Br₉、Cs₃Sb₂Cl₉、Cs₅Cu₃Cl₆I₂、Cs₅Cu₃Cl₇I、CsCu₂Cl₃、Cs₃Cu₂I₅、CsCu₂I₃、Cs₃Cu₂Br₅、CsCu₂Br₃、Ru₂CuBr₃、Ru₂CuCl₃、K₂CuBr₃、CsCu₂I₂Cl、CsCu₂I₂Br、CsCu₂Br₂I、CsCu₂Br₂Cl、CsCu₂Cl₂I、CsCu₂Cl₂Br、Cs₃Bi₂Br₉中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述加速器束流探测器的闪烁体为金属卤化物单晶薄片，可通过反溶剂法直接生长，或者先通过反溶剂法生长单晶棒，再通过切片获得。

4.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述的金属卤化物微晶占闪烁体总质量的40％-70％。

5.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述加速器束流探测器的闪烁体为金属卤化物微晶与有机载体混合制备得到。

6.根据权利要求5所述的应用，其特征在于，所述的有机载体为具有高透光率的有机硅化合物或有机物。

7.根据权利要求6所述的应用，其特征在于，所述的有机硅化合物是聚二甲基硅氧烷、环甲基硅氧烷、氨基硅氧烷、聚甲基苯基硅氧烷、聚醚聚硅氧烷共聚物、环聚二甲基硅氧烷。

8.根据权利要求6所述的应用，其特征在于，所述的有机物是聚甲基丙烯酸甲酯、聚偏氟乙烯、甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚碳酸脂、苯乙烯丙烯腈、苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物。

9.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，所述的有机物是聚甲基丙烯酸甲酯。