[发明专利]显示面板、显示面板的制作方法及显示装置

说明书

本申请实施例提供了一种显示面板、显示面板的制作方法及显示装置，显示面板包括衬底基板和多个像素单元，多个像素单元位于衬底基板的一侧且呈矩阵分布，像素单元包括晶体管，晶体管包括位于衬底基板一侧的有源层，以及位于有源层的远离衬底基板一侧的第一金属层，第一金属层包括与所述有源层电连接的源极和漏极；像素单元还包括像素电极层，像素电极层与晶体管电连接，像素电极层位于第一金属层远离有源层的一侧，且像素电极层在衬底基板上的投影至少部分覆盖源极和漏极在衬底基板上的投影。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板、显示面板的制作方法及显示装置。

背景技术

本部分提供的仅仅是与本申请相关的背景信息，其并不必然是现有技术。

相关技术中，为提高大尺寸显示面板的存储电容，降低显示面板中出现电学串扰的概率，提出了一种i-ADS(Inversion-Advanced Super Dimension Switch，倒置高级超维场转换)结构，即将像素结构中与像素电极连接的像素电极层移动至有源层及源漏金属层之间。此外，为提高有源层的迁移率，使其满足高分辨率显示面板的需求，有源层可以采用金属氧化物材料，如IGZO(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)等。但在i-ADS结构中，由于采用金属氧化物材料的有源层与像素电极金属层所采用的刻蚀液相同，因此在刻蚀像素电极金属层的过程中，刻蚀液可能对有源层产生影响，从而降低包含有源层的像素电路的良率，进而降低显示面板的良率。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种显示面板、显示面板的制作方法及显示装置，以降低在刻蚀像素电极金属层的过程中，刻蚀液对有源层的影响，提高像素电路及显示面板的良率。具体技术方案如下：

本申请第一方面的实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括：

衬底基板；

多个像素单元，所述多个像素单元位于所述衬底基板的一侧且呈矩阵分布，所述像素单元包括晶体管，所述晶体管包括位于所述衬底基板一侧的有源层，以及位于所述有源层的远离所述衬底基板一侧的第一金属层，所述第一金属层包括与所述有源层电连接的源极和漏极；

所述像素单元还包括像素电极层，所述像素电极层与所述晶体管电连接，所述像素电极层位于所述第一金属层远离所述有源层的一侧，且所述像素电极层在所述衬底基板上的投影至少部分覆盖所述源极和所述漏极在所述衬底基板上的投影。

一些实施例中，所述像素电极层在所述衬底基板上的投影覆盖所述源极和所述漏极在所述衬底基板上的投影。

一些实施例中，所述晶体管还包括：

第二金属层，所述第二金属层位于所述衬底基板的一侧，所述第二金属层包括栅极；

第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二金属层远离所述衬底基板的一侧，且所述第一绝缘层覆盖所述第二金属层。

一些实施例中，所述像素单元还包括：

第一钝化层，所述第一钝化层位于所述像素电极层远离所述衬底基板的一侧；

公共电极层，所述公共电极层位于所述第一钝化层远离所述像素电极层的一侧，所述公共电极层过孔与所述栅极连接。

一些实施例中，所述像素电极层和所述公共电极层的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、铟锡镓氧化物中的至少一种。

一些实施例中，所述多个像素单元中至少部分像素单元中的公共电极层与相邻像素单元中的公共电极层电连接。

一些实施例中，所述源极和所述漏极与所述有源层直接接触电连接。

一些实施例中，所述像素单元还包括液晶单元，所述液晶单元与所述晶体管对应设置，所述晶体管用于驱动所述液晶单元内的液晶分子发生偏转。