[发明专利]一种挥发类药物快速释放的贴膏剂基质制备方法有效
申请号: | 202210567617.6 | 申请日: | 2022-05-24 |
公开(公告)号: | CN114796164B | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 熊伟;郭立;李磊;卢玉斌;张春霞;高锡意;杨春光 | 申请(专利权)人: | 河南羚锐制药股份有限公司 |
主分类号: | A61K9/70 | 分类号: | A61K9/70;A61K47/32;A61K47/06;A61K47/10;A61K47/14;A61K36/758;A61P29/00;C08F297/04;A61K31/045;A61K31/125 |
代理公司: | 郑州天阳专利事务所(普通合伙) 41113 | 代理人: | 李松莲 |
地址: | 465550 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 挥发 类药物 快速 释放 膏剂 基质 制备 方法 | ||
一种挥发类药物快速释放的贴膏剂基质制备方法,所述的贴膏剂基质为SIS骨架材料配合液状石蜡、抗氧化剂BHT、氢化松香甘油酯制成,包括以下步骤:(1)、线型SIS嵌段共聚物的合成;b、第一嵌段聚合完成后,引发第二嵌段聚合反应;c、第二嵌段聚合完成后,引发第三嵌段聚合反应;d、第三嵌段聚合反应结束,加入900‑1100ml无水甲醇终止反应,得SIS弹性体,将SIS弹性体置于真空烘箱中,48‑52℃干燥10‑14h,得干燥的SIS弹性体;(2)、贴膏剂基质的制备。本发明制备方法简单,能够实现药物的快速释放,累积释放速率明显高于原处方工艺样品,不仅减少了资源浪费,也为提高产品的潜在疗效提供了一种可行的方法,有显著的社会和经济效益。
技术领域
本发明涉及药物制剂领域,具体涉及一种挥发类药物快速释放的贴膏剂基质制备方法。
背景技术
祛痛健身膏为市售公知产品(如河南羚锐制药股份有限公司独创外用贴膏制剂),以风湿痹痛,腰腿疼及跌扑闪挫引起的肿痛为主治,即以止痛为目的。药物组方为:丹参90~120g、红花90~120g、鸡血藤90~120g、栀子90~120g、威灵仙45~65g、独活45~65g、花椒45~65g、冰片130~165g、樟脑90~120g、薄荷脑90~120g。本方按照中医理论指导下的君、臣、佐、使要求进行配方:樟脑辛凉,可活血消肿止痛,芳香避秽;丹参专入血分,在活血行气……利关节而通脉络,则腰膝部健而痹著行;红花活血通经,祛瘀止痛;三药均为活血祛瘀以通经,共为君药;花椒温中散寒除湿,鸡血藤活血舒筋,威灵仙祛风湿、通经络,独活祛风胜湿、散寒止痛,上述四药,皆宜通为用,共为臣药;冰片辛、苦凉,可通诸窍,散郁火,消肿止痛,栀子苦寒,清热泻火,治扭伤肿痛,此二味药,皆寒凉之性,既可清在经之热邪,又可泄经脉血分之郁热,共为佐药;薄荷脑为辛香走窜之品,可引药以达病所,且具消肿止痛之功,为使药。
祛痛健身膏药物作为发挥疗效的物质基础,药物分子需要首先扩散穿过由SIS骨架与软化剂、增粘剂等组合的基质,到达人体皮肤表面,而作为骨架材料的SIS,是由苯乙烯与异戊二烯单体通过聚合反应而生成的三嵌段高分子共聚物,其技术参数主要包括SIS的构型、嵌段比(S/I)、分子质量和2嵌段SI含量,SIS具有优秀药物包裹和骨架支撑能力,是决定药物扩散速度的关键材料。通过改变SIS中指标参数,调整弹性体相应的理化性质,可以制备出满足不同使用需要的压敏胶基质。
祛痛健身膏主要用于局部止痛,其止痛效果与药物作用身体部位的药量具有很大关系,通过对现有工艺产品在使用后膏片中剩余药量的分析,以挥发性药物为测试指标,经过一日使用周期,膏片中仍然残留超过一半的药量,这不仅造成了资源的浪费,同时,药物不能充分发挥作用;另外,有的患者为了节省,超期贴敷,造成贴敷部位皮肤由于长期处于封闭状态,易引起皮肤刺激、过敏等不良反应。究其原因,在于贴膏基质制备上存在问题,因此,如何对贴膏基质在生产工艺上进行改进和创新,使得产品在实际应用中,提高贴膏剂的释药量,减少超期贴敷,是亟需解决的技术问题。
发明内容
针对上述情况,为克服现有技术之缺陷,本发明之目的就是提供一种挥发类药物快速释放的贴膏剂基质制备方法,可有效解决现有贴膏剂在使用时,药量不能充分释放,造成资源的浪费的问题。
为实现上述目的,本发明解决的技术方案是,一种挥发类药物快速释放的贴膏剂基质制备方法,所述的贴膏剂基质为SIS骨架材料配合液状石蜡、抗氧化剂BHT、氢化松香甘油酯制成,包括以下步骤:
(1)、线型SIS嵌段共聚物的合成:
a、将反应釜加热烘烤并用氮气反复置换至无水无氧,然后冷却至室温,再向反应釜中加入1900-2100mL环己烷,再依次加入23-26g苯乙烯、1-1.4ml四氢呋喃和5-7mL浓度为1.5×10-5mol/L的正丁基锂,将反应釜升温至40-45℃,引发第一嵌段聚合反应,200-250rpm条件下反应30-35min;
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