[发明专利]具有半圆漏极侧选择栅极的存储器装置中的次级交叉耦合效应及对策

权利要求书

1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

存储器单元，所述存储器单元连接到多个字线中的一个字线并且被布置成串并且被配置为保持阈值电压；

所述串中的每一个串，所述串中的所述每一个串具有位于所述串中的所述一个串的漏极侧上的多个漏极侧选择栅极晶体管，以及包括连接到多个位线中的一个位线并且耦合到所述串中的所述一个串的所述存储器单元的多个顶部漏极侧选择栅极晶体管中的一个顶部漏极侧选择栅极晶体管；和

控制装置，所述控制装置耦合到所述多个字线、所述多个位线和所述多个漏极侧选择栅极晶体管，并且被配置为：

在存储器操作期间，将未经选择的顶部电压施加到所述多个顶部漏极侧选择栅极晶体管中的未经选择的顶部漏极侧选择栅极晶体管，以及

在所述存储器操作期间，将所选顶部电压同时施加到所述多个顶部漏极侧选择栅极晶体管中的所选顶部漏极侧选择栅极晶体管，所述未经选择的顶部电压在电气上与所选顶部电压有意地不同。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述未经选择的顶部电压小于所选顶部电压。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述多个字线和多个介电层在叠堆中水平延伸并以交替方式彼此叠加并且所述串竖直延伸穿过所述叠堆，所述多个漏极侧选择栅极晶体管包括串联连接在所述多个顶部漏极侧选择栅极晶体管中的所述一个顶部漏极侧选择栅极晶体管与所述串中的每个串的所述存储器单元之间的多个其他漏极侧选择栅极晶体管中的一个其他漏极侧选择栅极晶体管，并且所述控制装置被进一步配置为在所述存储器操作期间，将所选其他电压施加到所述多个其他漏极侧选择栅极晶体管中的所选其他漏极侧选择栅极晶体管，所述未经选择的顶部电压小于所选其他电压。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制装置被进一步配置为基于所述多个顶部漏极侧选择栅极晶体管的晶体管阈值电压来自适应地调整所选顶部电压。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述控制装置被进一步配置为：

将检测阈值电压初始化为预先确定的检测阈值电压，以响应于接收到存储器操作命令；

计数具有高于所述检测阈值电压的所述晶体管阈值电压的所述多个顶部漏极侧选择栅极晶体管中的那些顶部漏极侧选择栅极晶体管的顶部漏极侧选择栅极量；

确定所述顶部漏极侧选择栅极量是否小于顶部漏极侧选择栅极量检测阈值；

通过Δ检测阈值电压递增所述检测阈值电压，并且返回计数具有高于所述检测阈值电压的所述晶体管阈值电压的所述多个顶部漏极侧选择栅极晶体管中的所述那些顶部漏极侧选择栅极晶体管的所述顶部漏极侧选择栅极量，以响应于所述顶部漏极侧选择栅极量不小于顶部漏极侧选择栅极量检测阈值；

将所选顶部电压设置为等于所述检测阈值电压加上预先确定的固定过驱动电压的自适应的所选顶部电压，以响应于所述顶部漏极侧选择栅极量小于顶部漏极侧选择栅极量检测阈值；以及

使用所述自适应的所选顶部电压继续所述存储器操作。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器操作是编程操作，并且所述控制装置被进一步配置为在所述编程操作期间，在将通过电压施加到所述多个字线中的未经选择的字线的同时，将编程电压的至少一个编程脉冲施加到所述多个字线中的所选字线。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器操作是读取操作和验证操作中的一个操作，并且所述控制装置被进一步配置为在所述读取操作和所述验证操作中的所述一个操作期间，在将通过电压施加到所述多个字线中的未经选择的字线的同时，将读取电压和验证电压中的一个电压施加到所述多个字线中的所选字线。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述串被分组成包括所述串的串量的串组，所述存储器装置还包括各自耦合到所述串组的所述串中的一个或多个串的多个驱动器，所述串的所述串量大于所述多个驱动器的驱动器量，并且所述控制装置被进一步配置为基于与所述串组的所述串中的所述一个或多个串中的每个串耦合的所述多个驱动器中的哪一个驱动器来选择至少一个所述未经选择的顶部电压和所选顶部电压。