[发明专利]一种贡菊嫁接艾叶的培育方法在审

专利信息
申请号: 202210571206.4 申请日: 2022-05-24
公开(公告)号: CN115053706A 公开(公告)日: 2022-09-16
发明(设计)人: 何家裕;唐茂贵;江玉星;吴季秋;张国升;朱来良;朱雪梅 申请(专利权)人: 安徽淮仁堂药业股份有限公司
主分类号: A01G2/30 分类号: A01G2/30;A01G7/06;A01G24/10;A01G24/15;A01N43/38;A01N37/10;A01N43/16;A01N47/18;A01P21/00;A01P3/00
代理公司: 上海恩凡知识产权代理有限公司 31459 代理人: 汪贺玲
地址: 230000 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 嫁接 艾叶 培育 方法
【权利要求书】:

1.一种贡菊嫁接艾叶的培育方法,其特征在于,具体步骤如下:

一、砧木选择:

2月份开始选择菊科植物——艾草幼苗,经大棚培育主茎达到0.3-0.4cm粗时,取其下部无空心茎秆为砧木,不留底叶芽;

二、接穗选择:

砧木育苗的同时,开始选择培育贡菊苗,待贡菊苗长至6-10cm,取其中上部、无木质化的部分为接穗;

三、嫁接:

S1、采用劈接法,砧木从主茎秆中间劈开,深度为0.5-0.8cm,接穗取三叶一心的嫩梢,茎秆双面切斜口,插入砧木切口,涂覆含杀菌剂的保水剂;

S2、嫁接后在6-12h内喷药消毒;

S3、苗床准备:采用草炭土、珍珠岩按一定的比例配置制备基质,采用多菌灵800倍液泼洒搅拌,将润湿后的基质置于苗床上,并在其表面铺设一层滑石粉;

S4、嫁接后的秧苗栽入苗床,随之浇灌透水一次,采用细水慢浇的方式,不伤及接口、不冲刷基质,灌水后苗床内空气湿度达到90%以上;采用遮光布进行遮挡,遮光率达100%,控制遮盖达24h以上,进行为期三天的遮阴培育,严格遮光密闭,保持温暖、无光照、饱和湿度状态;三天后再进行半遮阴培育一周,半遮阴处理期间选择正午遮阴3小时,其余时间揭帘透光,半遮阴培育结束后,不再进行遮光,并及时补充水分;

S5、苗床内培育温度控制:前三天保持温度在35±2℃,三天后降低温度至30±2℃,一周后适当通风冻苗,控制白天温度在25-28℃,夜间温度在15-18℃;

S6、培育15天后,转入正常菊苗培育管理即可,待嫁接植株长到12-15cm,适时转入大田常规管理;

四、施肥管理:

转入大田的菊苗采用贡菊专用肥进行施肥管理,根据菊苗生长情况,减少施肥次数、使用量。

2.根据权利要求1所述的一种贡菊嫁接艾叶的培育方法,其特征在于,所述嫁接步骤S1中,在嫁接前,砧木与接穗均未产生植物粘液时,在愈合剂药液中迅速蘸一下,然后将接穗立时嵌入砧木切口中,对齐形成层。

3.根据权利要求2所述的一种贡菊嫁接艾叶的培育方法,其特征在于,所述愈合剂药液包括0.2-0.8%的杀菌剂、3-8%的成膜剂、0.3-1%的海藻酸钠寡糖、0.05-0.1%的生根剂,余下为蒸馏水。

4.根据权利要求3所述的一种贡菊嫁接艾叶的培育方法,其特征在于,所述成膜剂包括海藻酸钠、壳聚糖、卡拉胶中的一种或多种。

5.根据权利要求3所述的一种贡菊嫁接艾叶的培育方法,其特征在于,所述生根剂包括吲哚丁酸、吲哚乙酸、萘乙酸中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的一种贡菊嫁接艾叶的培育方法,其特征在于,所述嫁接步骤S1中,所述保水剂采用高吸水树脂凝胶,具体使用方法:

(1)将0.2-2份高吸水树脂粉体投入到100份含0.05-0.1%杀菌剂的蒸馏水中,并搅拌均匀,静放10-15分钟后得到呈凝胶状的含杀菌剂的保水剂;

(2)将凝胶状的保水剂涂抹于嫁接口周围,然后用塑料薄膜自上而下绑紧扎实。

7.根据权利要求6所述的一种贡菊嫁接艾叶的培育方法,其特征在于,所述高吸水树脂粉体为淀粉接枝丙烯酸盐类,吸水倍数在200-300倍,粉体粒径在1000-1200目。

8.根据权利要求3或6所述的一种贡菊嫁接艾叶的培育方法,其特征在于,所述杀菌剂为百菌清、托布津、多菌灵中的一种。

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