[发明专利]氢氟烯烃蚀刻气体混合物

权利要求书

1.一种用于清洁CVD室或PECVD室的蚀刻气体混合物，其包含：

至少一种氢氟烯烃，其选自HFO-1234yf和HFO-1336mzz；

第二蚀刻气体，其选自全氟烃、SF₆和NF₃；和

氧气。

2.根据权利要求1所述的蚀刻气体混合物，其还包含载气。

3.根据权利要求2所述的蚀刻气体混合物，其中所述载气为He、Ar或N₂。

4.根据权利要求1所述的蚀刻气体混合物，其中所述第二蚀刻气体为全氟烃。

5.根据权利要求4所述的蚀刻气体混合物，其中所述全氟烃选自四氟甲烷、六氟乙烷、八氟丙烷、八氟四氢呋喃和八氟环丁烷。

6.根据权利要求1所述的蚀刻气体混合物，其中所述第二蚀刻气体为SF₆或NF₃。

7.根据权利要求1所述的蚀刻气体混合物，其中所述蚀刻气体混合物包含HFO-1336mzz、氧气和四氟甲烷。

8.根据权利要求1所述的蚀刻气体混合物，其中所述蚀刻气体混合物包含HFO-1234yf、氧气和八氟丙烷。

9.根据权利要求1所述的蚀刻气体混合物，其中所述蚀刻气体混合物包含HFO-1234yf、氧气和SF₆。

10.根据权利要求1所述的蚀刻气体混合物，其中所述蚀刻气体混合物包含HFO-1234yf、氧气和NF₃。

11.一种从处理室表面清除表面沉积物的方法，其包括：

a.)激活权利要求1所述的蚀刻气体混合物；和

b.)将所述活化气体混合物与所述表面沉积物接触从而清除至少一些所述沉积物。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述气体混合物的所述激活步骤发生在远距室中。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述气体混合物中氢氟烯烃的摩尔百分比为5％至99％。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述处理室为用于制造电子器件的沉积室的内部。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述表面沉积物选自氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氮化钨、氮化钛和氮化钽。

16.根据权利要求11所述的方法，其中所述表面沉积物是氮化硅。

17.根据权利要求11所述的方法，其中所述气体混合物包含氧气：氢氟烯烃的摩尔比为至少1∶1的氧气。

18.根据权利要求11所述的方法，其中所述处理室中的压力不超过30托。

19.根据权利要求12所述的方法，其中所述远距室中的所述压力不超过50托。

20.根据权利要求11所述的方法，其中所述处理室为CVD或PECVD室。