[发明专利]改善在晶圆上旋涂光刻胶中边缘风旋产生的方法在审
申请号: | 202210586026.3 | 申请日: | 2022-05-26 |
公开(公告)号: | CN115327854A | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 方正;吴长明;冯大贵;姚振海;金乐群;王绪根;杨伟;王宇凡 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | G03F7/16 | 分类号: | G03F7/16 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 刘昌荣 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 改善 晶圆上旋涂 光刻 边缘 产生 方法 | ||
1.一种改善在晶圆上旋涂光刻胶中边缘风旋产生的方法,其特征在于,至少包括:
步骤一、提供晶圆和光刻胶旋涂机,利用所述光刻胶旋涂机在所述晶圆表面形成光刻胶层;
步骤二、利用所述光刻胶旋涂机以第一转速旋涂所述光刻胶层,用以减薄所述光刻胶层;
步骤三、降低所述光刻胶旋涂机的转速至第二转速,之后旋涂所述光刻胶层至设定的厚度。
2.根据权利要求1所述的改善在晶圆上旋涂光刻胶中边缘风旋产生的方法,其特征在于:步骤一中所述光刻胶旋涂机以2000转/每分钟在所述晶圆表面形成所述光刻胶层。
3.根据权利要求1所述的改善在晶圆上旋涂光刻胶中边缘风旋产生的方法,其特征在于:步骤二中在所述晶圆表面形成所述光刻胶层1至2S后将所述光刻胶旋涂机的转速调节至第一转速。
4.根据权利要求1所述的改善在晶圆上旋涂光刻胶中边缘风旋产生的方法,其特征在于:步骤二中的所述第一转速为2500至3200转/每分钟。
5.根据权利要求1所述的改善在晶圆上旋涂光刻胶中边缘风旋产生的方法,其特征在于:步骤二中的所述光刻胶旋涂机以3200转/每分钟的转速旋涂所述光刻胶层1.2s,之后以2500转/每分钟的转速旋涂所述光刻胶层1S。
6.根据权利要求1所述的改善在晶圆上旋涂光刻胶中边缘风旋产生的方法,其特征在于:步骤三中所述光刻胶旋涂机以所述第二转速旋涂所述光刻胶层30S。
7.根据权利要求1所述的改善在晶圆上旋涂光刻胶中边缘风旋产生的方法,其特征在于:步骤三中的所述第二转速为1390转/每分。
8.根据权利要求1所述的改善在晶圆上旋涂光刻胶中边缘风旋产生的方法,其特征在于:所述方法还包括步骤四、调节所述光刻胶旋涂机的转速旋涂所述光刻胶层。
9.根据权利要求1所述的改善在晶圆上旋涂光刻胶中边缘风旋产生的方法,其特征在于:所述方法用于在12寸晶圆上旋涂光刻胶。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体(无锡)有限公司,未经华虹半导体(无锡)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210586026.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种PTC热敏电阻元件加工工艺
- 下一篇:一种弹性转子交通防撞护栏