[发明专利]改善在晶圆上旋涂光刻胶中边缘风旋产生的方法

说明书

本发明提供一种改善在晶圆上旋涂光刻胶中边缘风旋产生的方法，提供晶圆和光刻胶旋涂机，利用光刻胶旋涂机在晶圆表面形成光刻胶层；利用光刻胶旋涂机以第一转速旋涂光刻胶层，用以减薄光刻胶层；降低光刻胶旋涂机的转速至第二转速，之后旋涂光刻胶层至设定的厚度。本发明的方法消除了晶圆旋涂光刻胶时产生的风旋，提升了光刻胶膜厚均匀性；减少机台因为光刻胶膜厚异常而导致的宕机，提高了产量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善在晶圆上旋涂光刻胶中边缘风旋产生的方法。

背景技术

晶圆工厂中光刻部门的工艺主要分为涂胶-曝光-显影三个环节。涂胶环节是在晶圆上通过旋转涂敷一层光刻胶膜，且需要实现指定的厚度和均匀性。

在12寸晶圆上旋涂涂高粘度光刻胶时，为了甩去多余的光刻胶并达到指定的厚度，会用到很高的转速。而12寸晶圆边缘线速度相对8寸晶圆更大(图1,V1V2)，因此容易出现风旋(图2)，表现为边缘光刻胶膜的厚度不均匀(图3)，从而影响该晶圆边缘的芯片图形。

为此，需要一种新的方法改善风旋的产生，提升光刻胶膜厚均匀性。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善在晶圆上旋涂光刻胶中边缘风旋产生的方法，用于解决现有技术中12寸晶圆边缘线速度相对8寸晶圆更大，因此容易出现风旋，晶圆边缘光刻胶膜的厚度不均匀，影响该晶圆边缘的芯片图形的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种改善在晶圆上旋涂光刻胶中边缘风旋产生的方法，包括：

步骤一、提供晶圆和光刻胶旋涂机，利用所述光刻胶旋涂机在所述晶圆表面形成光刻胶层；

步骤二、利用所述光刻胶旋涂机以第一转速旋涂所述光刻胶层，用以减薄所述光刻胶层；

步骤三、降低所述光刻胶旋涂机的转速至第二转速，之后旋涂所述光刻胶层至设定的厚度。

优选地，步骤一中所述光刻胶旋涂机以2000转/每分钟在所述晶圆表面形成所述光刻胶层。

优选地，步骤二中在所述晶圆表面形成所述光刻胶层1至2S后将所述光刻胶旋涂机的转速调节至第一转速。

优选地，步骤二中的所述第一转速为2500至3200转/每分钟。

优选地，步骤二中的所述光刻胶旋涂机以3200转/每分钟的转速旋涂所述光刻胶层1.2s，之后以2500转/每分钟的转速旋涂所述光刻胶层1S。

优选地，步骤三中所述光刻胶旋涂机以所述第二转速旋涂所述光刻胶层30S。

优选地，步骤三中的所述第二转速为1390转/每分。

优选地，所述方法还包括步骤四、调节所述光刻胶旋涂机的转速旋涂所述光刻胶层。

优选地，所述方法用于在12寸晶圆上旋涂光刻胶。

如上所述，本发明的改善在晶圆上旋涂光刻胶中边缘风旋产生的方法，具有以下有益效果：本发明的方法消除了晶圆旋涂光刻胶时产生的风旋，提升了光刻胶膜厚均匀性；减少机台因为光刻胶膜厚异常而导致的宕机，提高了产量。

附图说明

图1显示为现有技术中光刻胶旋转涂敷方式示意图；

图2显示为现有技术中的风旋示意图；

图3显示为在风旋影响下光刻胶膜厚截面(沿直径)示意图；

图4显示为现有技术中旋涂机转速变化简略示意图；

图5显示为现有技术中旋涂机的转速程序示意图；

图6显示为本发明的旋涂机转速变化意图；