[发明专利]紫外线发光二极管

权利要求书

1.一种紫外线发光二极管，包括：

基板；

n型半导体层，位于所述基板上；

台面，布置于所述n型半导体层上，并包含活性层及p型半导体层；

n欧姆接触层，接触于所述n型半导体层；

p欧姆接触层，接触于所述p型半导体层；

n凸块，电连接于所述n欧姆接触层；以及

p凸块，电连接于所述p欧姆接触层，

其中，所述台面包括主分支以及从所述主分支延伸的多个子分支，

所述n欧姆接触层包围所述台面并夹设于所述子分支之间的区域，

所述n凸块及p凸块分别覆盖所述台面的上部及侧表面。

2.如权利要求1所述的紫外线发光二极管，其中，

暴露于所述子分支之间的n型半导体层的最小宽度大于或等于所述子分支的最小宽度。

3.如权利要求2所述的紫外线发光二极管，其中，

所述主分支的最小宽度大于所述子分支的最小宽度。

4.如权利要求1所述的紫外线发光二极管，还包括：

n焊盘金属层，覆盖所述n欧姆接触层；以及p焊盘金属层，覆盖所述p欧姆接触层，

其中，所述n凸块及p凸块分别连接于所述n焊盘金属层及所述p焊盘金属层。

5.如权利要求4所述的紫外线发光二极管，其中，

所述n欧姆接触层是包含Cr、Ti、Al及Au的金属合金层，

所述n焊盘金属层包括Ti层/Au层/Ti层，

所述n焊盘金属层相接于所述n欧姆接触层。

6.如权利要求4所述的紫外线发光二极管，还包括：

绝缘层，夹设于所述n焊盘金属层及所述p焊盘金属层与所述n凸块及p凸块之间，并且具有使所述n焊盘金属层及p焊盘金属层暴露的开口部。

7.如权利要求6所述的紫外线发光二极管，其中，

所述开口部被所述n凸块及p凸块分别遮盖。

8.如权利要求1所述的紫外线发光二极管，其中，

所述n欧姆接触层与所述台面之间的隔开距离恒定。

9.如权利要求1所述的紫外线发光二极管，其中，

所述n凸块与p凸块相互平行地布置。

10.一种紫外线发光二极管，包括：

基板；

n型半导体层，位于所述基板上；

台面，布置于所述n型半导体层上，并包含活性层及p型半导体层；

n欧姆接触层，接触于所述n型半导体层；

p欧姆接触层，接触于所述p型半导体层；

n凸块，电连接于所述n欧姆接触层；以及

p凸块，电连接于所述p欧姆接触层，

其中，所述台面包括多个分支，

所述n欧姆接触层包围所述台面并夹设于所述分支之间的区域，

所述n凸块及p凸块分别覆盖所述台面的上部及侧表面，

所述p凸块覆盖所述分支中的至少两个分支。