[发明专利]一种采用激光焊接制备柔性忆阻器的方法在审
| 申请号： | 202210627952.0 | 申请日： | 2022-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN114951998A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 赵波;刘菁;张建 | 申请（专利权）人： | 江苏师范大学;苏师大半导体材料与设备研究院（邳州）有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/21 | 分类号： | B23K26/21;B23K26/60;B23K26/70 |
| 代理公司： | 南京合砺专利商标代理事务所(普通合伙) 32518 | 代理人： | 许云花 |
| 地址： | 221116 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 激光 焊接 制备 柔性 忆阻器 方法 | ||
1.一种采用激光焊接制备柔性忆阻器的方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)对柔性基底的表面进行等离子体处理10-60s，该等离子体处理的刻蚀气体中包括氢气；
(2)在等离子体处理后的柔性基底上镀覆一对金属电极，并在该金属电极表面沉积氧化物纳米线材料，使得该纳米线材料与金属电极的两端相连接；
(3)在激光功率50-200mW、激光光束直径1-5μm、激光重复频率50-100MHz条件下，对纳米线材料和金属电极的连接处实施激光焊接，制得忆阻器。
2.根据权利要求1所述采用激光焊接制备柔性忆阻器的方法，其特征在于：步骤(1)中，所述柔性衬底为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚碳酸酯。
3.根据权利要求1所述采用激光焊接制备柔性忆阻器的方法，其特征在于：步骤(1)中，所述等离子体处理的温度为15-30℃，等离子源功率为100-200W，射频偏压功率为20-40W，反应腔压强为0.1-0.4Pa，氢气流量为5-30sccm。
4.根据权利要求1所述采用激光焊接制备柔性忆阻器的方法，其特征在于：步骤(2)中，所述金属电极材料为Au、Ti或Al。
5.根据权利要求1所述采用激光焊接制备柔性忆阻器的方法，其特征在于：步骤(2)中，所述金属电极间距为1-5μm。
6.根据权利要求1所述采用激光焊接制备柔性忆阻器的方法，其特征在于：步骤(2)中，所述氧化物纳米线材料为ZnO纳米线、TiO2纳米线或SnO2纳米线。
7.根据权利要求1所述采用激光焊接制备柔性忆阻器的方法，其特征在于：步骤(2)中，所述镀覆为真空蒸发法、磁控溅射法、气相沉积法或化学镀覆法。
8.根据权利要求1所述采用激光焊接制备柔性忆阻器的方法，其特征在于：步骤(2)中，所述在该金属电极表面沉积氧化物纳米线材料所采用的方法为双向电泳沉积法或旋涂法。
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