[发明专利]含全氟聚醚基硅烷化合物、制备方法、表面处理剂及物品在审
申请号: | 202210647013.2 | 申请日: | 2022-06-09 |
公开(公告)号: | CN114907560A | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 李伟;黄昀东 | 申请(专利权)人: | 深圳德诚达光电材料有限公司 |
主分类号: | C08G65/336 | 分类号: | C08G65/336;C08G65/337;C08G65/328;C08G65/338;C09D171/02 |
代理公司: | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人: | 曹盼 |
地址: | 518100 广东省深圳市光*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含全氟聚醚基 硅烷 化合物 制备 方法 表面 处理 物品 | ||
1.一种含全氟聚醚基硅烷化合物的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤1),制备化合物1,具体如下:
在溶剂中加入端基为酯基的全氟聚醚化合物及还原剂,经还原反应将酯基还原成羟基,得化合物1;
步骤2),制备化合物2,具体如下:
在溶剂中加入季戊四醇三烯丙基醚及卤化剂,经取代反应将羟基取代为卤素基团,得化合物2;
步骤3),在溶剂中加入化合物1、化合物2、碱性物质,在碱性条件下,化合物1与化合物2发生醚化反应,化合物1的羟基脱去氢离子,化合物2脱去卤素基团,缩合形成醚键,得端基含双键的全氟聚醚化合物3;
步骤4),在溶剂中加入化合物3与硅烷偶联剂,经硅氢加成得含全氟聚醚基的硅烷化合物;
所述步骤1)、步骤2)可同时进行也可不分顺序分步进行。
2.根据权利要求1所述的一种含全氟聚醚基硅烷化合物的制备方法,其特征在于:所述还原剂为硼氢化钠、硼氢化锂、二异丁基氢化铝、氰基硼氢化钠、三乙基硼氢化锂、双-甲氧基乙氧基铝氢化钠、氢化铝锂、氢化铝钠中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的一种含全氟聚醚基硅烷化合物的制备方法,其特征在于:所述卤化剂为氢卤酸、卤化亚砜、卤化膦中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的一种含全氟聚醚基硅烷化合物的制备方法,其特征在于:所述碱性物质为无机碱或有机碱。
5.根据权利要求1所述的一种含全氟聚醚基硅烷化合物的制备方法,其特征在于:所述硅烷偶联剂为甲基二甲氧基硅烷、甲基二乙氧基硅烷、三甲氧基硅烷、三乙氧基硅烷中的至少一种。
6.一种含全氟聚醚基硅烷化合物其特征在于:由权利要求1-5任一所述的含全氟聚醚基硅烷化合物的制备方法制得。
7.一种表面处理剂其特征在于:由权利要求6所述的含全氟聚醚基硅烷化合物与溶剂组成。
8.一种经表面处理剂处理的物品,其特征在于:包括基材,所述基材表面覆盖有由权利要求7所述的表面处理剂固化形成的保护膜。
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