[发明专利]一种双穿通结构同时触发的低电容SCR结构在审
| 申请号： | 202210649430.0 | 申请日： | 2022-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN115346977A | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 刘继芝;薛文辉 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双穿通 结构 同时 触发 电容 scr | ||
1.一种用于ESD保护的穿通结构触发的低电容SCR器件，其特征在于，包括：
所述SCR器件结构包括:P型硅衬底100，在P型硅衬底上形成N型阱区101和P型阱区201；在N型阱区101内由左至右形成N型重掺杂有源区103和P型重掺杂有源区102；在P阱区201内由左至右形成N型重掺杂有源区202和P型重掺杂有源区203。其中，300为STI结构。其中由P型重掺杂有源区102、N型阱区101以及P型衬底100、P型阱区201、P型重掺杂有源区203形成的PNP三极管，由N型有源区103、N型阱区101、P型衬底100、P型阱区201以及N型重掺杂有源区202形成的NPN三极管，两个三极管都可以发生穿通来实现穿通触发。
在该结构中，N阱区101内的P型重掺杂有源区102和N型重掺杂有源区103与器件的阳极相连；P型阱区201内的N型重掺杂有源区202和P型重掺杂有源区203与器件的阴极相连。
2.一种用于ESD保护的双穿通结构同时触发的低电容SCR器件，其特征在于，包括：
所述SCR器件结构包括:P型硅衬底100，在P型硅衬底上形成N型阱区101，在N型阱区201内有P型重掺杂有源区102；在P型硅衬底上形成P型阱区201，在P型阱区201内由左至右形成N型重掺杂有源区202和P型重掺杂有源区203。其中，300为STI结构。其中由P型重掺杂有源区102、N型阱区101以及P型衬底100、P型阱区201、P型重掺杂有源区203形成的PNP三极管，由N型阱区101、P型衬底100、P型阱区201以及N型重掺杂有源区202形成的NPN三极管，两个三极管同时发生穿通来实现双穿通。
在该结构中，N型阱区101内的P型重掺杂有源区102与器件的阳极相连；P型阱区201内的N型重掺杂有源区202和P型重掺杂有源区203与器件的阴极相连。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210649430.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
