[发明专利]套刻误差测量方法和设备及半导体器件制造方法

说明书

提供了一种用于在一起使用深紫外(DUV)设备和极紫外(EUV)设备的环境中准确地测量并校正套刻误差的套刻误差测量方法、一种使用所述套刻误差测量方法的半导体器件制造方法和一种套刻误差测量设备。所述套刻误差测量方法包括基于固定位置执行多个层中的至少一个层的套刻标记的位置的绝对测量，其中通过使用所述DUV设备来对所述多个层中的第一层执行曝光工艺，并且通过使用所述EUV设备来对所述多个层中的第n层执行曝光工艺，所述第n层是所述多个层中的最上层。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求于2021年8月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0111201的优先权，该申请的公开内容通过引用整体地并入本文。

技术领域

本发明构思涉及一种套刻误差(overlay)测量方法和一种套刻误差测量设备，并且更具体地，涉及一种用于在一起使用深紫外(DUV)设备和极紫外(EUV)设备的环境中测量并校正套刻误差的测量方法和测量设备。

背景技术

半导体电路中的线宽度已变得更精细，因此，通过使用EUV设备形成的层增加了。例如，通过将DUV机器与EUV机器组合在一个芯片中来形成多个层的图案。DUV机器和EUV机器可以在晶片载物台、分划板、狭缝、光学系统等方面彼此不同。另外，DUV机器和EUV机器使用不同波长的光源。当DUV机器和EUV机器彼此相结合地使用时，由于它们之间的差异，在形成精细图案时可能发生套刻未对准。通常，根据DUV机器和EUV机器的组合的套刻被称为匹配机器套刻(MMO)。

发明内容

本发明构思提供一种用于在一起使用深紫外(DUV)设备和极紫外(EUV)设备的环境中准确地测量并校正套刻误差的套刻误差测量方法，以及一种使用所述套刻误差测量方法的半导体器件制造方法和一种套刻误差测量设备。

另外，本发明构思的实施例不限于以上提及的实施例，并且根据以下描述，本领域的普通技术人员将清楚地理解其他目标。

根据本发明构思的一个方面，提供了一种套刻误差测量方法，所述套刻误差测量方法包括：基于固定位置执行多个层中的至少一个层的套刻标记的位置的绝对测量，其中通过使用深紫外(DUV)设备来对作为所述多个层中的最下层的所述多个层中的第一层执行曝光工艺，并且其中通过使用极紫外(EUV)设备来对第n层执行曝光工艺，所述第n层是所述多个层中的最上层。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种套刻误差测量方法，所述套刻误差测量方法包括：基于固定位置执行第一套刻标记的位置的绝对测量，所述第一套刻标记是通过使用深紫外(DUV)设备在第一半导体衬底上的多个层中的第一层上形成的，所述第一层是所述多个层中的最下层；将所述第一套刻标记的所述位置的所述绝对测量的结果先馈送给所述DUV设备；执行第二套刻标记的位置的绝对测量，所述第二套刻标记是通过使用极紫外(EUV)设备在所述多个层中的第n层上形成的，所述第n层是所述多个层中的最上层；以及将所述第二套刻标记的所述位置的所述绝对测量的结果再馈送给所述DUV设备。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：通过使用深紫外(DUV)设备在第一半导体衬底上的多个层中的第一层上形成第一套刻标记，所述第一层是所述多个层中的最下层；基于固定位置执行所述第一套刻标记的位置的绝对测量；将所述第一套刻标记的所述位置的所述绝对测量的结果先馈送给所述DUV设备；通过使用极紫外(EUV)设备在所述多个层中的第n层上形成第二套刻标记，所述第n层是所述多个层中的最上层；执行所述第二套刻标记的位置的绝对测量；以及将所述第二套刻标记的所述位置的所述绝对测量的结果再馈送给所述DUV设备。