[发明专利]一种多层复合ITO薄膜

说明书

本发明公开了一种多层复合ITO薄膜，所述多层复合ITO薄膜包括两ITO层和一M层，其中所述M层位于两ITO层之间，M层的In含量为≥In₂O₃中In含量的含In层，以保障M层与两层ITO层之间相互结合的稳定性而保障所述多层复合ITO薄膜的结构稳定性；所述M层具有8nm～16nm的厚度，M层并与两层ITO层具有200nm～600nm的总厚度，以保障所述多层复合ITO薄膜的透光性的同时降低所述多层复合ITO薄膜的片阻。

技术领域

本发明涉及ITO薄膜技术领域，尤其涉及一种多层复合ITO薄膜。

背景技术

锡掺杂氧化铟(ITO)是一种n型半导体材料，由于其优异的光学和电学性质，被认为是最常用的透明导电氧化物(TCO)材料之一。目前已广泛应用于发光二极管、液晶显示器、气敏传感器和太阳能电池等领域，如用于卫星的空间防静电、玻璃除霜、制造液晶显示器的透明电极等。透明度和导电性是评估TCO性能的关键指标，但两者间又是相互矛盾的。通常，透明度高的TCO材料，其导电性较低，反之亦然。为了获得高透明度的TCO，人们尽可能希望TCO 晶粒越小越好，但小的晶粒，其晶界多，电子迁移过程中受晶界散射影响较大，导电性不高。而随着大尺寸触控面板的发展，当前的ITO薄膜的透明导电薄膜电阻率偏大，难以满足大尺寸触控面板的应用需求。

目前，提升ITO薄膜的电性的技术主要通过于ITO中掺入Au、Ag、Cu、Al及其合金这类低电阻率的金属物质，并在结构上主要通过于ITO薄膜上层叠这类金属物质的薄膜形态而构成复合ITO薄膜，以期基于这类金属物质具有低电阻率的电学特性提升所述复合ITO薄膜的电性能。然而，由于这类金属物质与ITO在晶体特性上的差异导致这类金属物质的薄膜形态与ITO薄膜之间的结合力较弱，相应所述复合ITO薄膜的电性能和结构并不稳定，尤其是所述复合ITO薄膜的高可见光透过率形成的对这类金属物质的薄膜形态的低厚度要求会进一步加剧复合ITO薄膜在结构和电性能上的不稳定性，对应在实际生产活动中，造成所述复合ITO 薄膜的良品率低和成本高的技术缺陷，并由于这类金属物质本身的高成本特性被进一步加剧。如何在保持高可见光透过率的前提下，进一步提升ITO薄膜的电性能，是当前急需要解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于为克服复合ITO薄膜在结构和电性能上的不稳定性，保障多层复合ITO 薄膜的透光性的同时降低所述多层复合ITO薄膜的片阻，提高复合ITO薄膜的良品率，降低复合ITO薄膜的制备成本，提供一种多层复合ITO薄膜。

本发明是这样实现的：

一种多层复合ITO薄膜，包括两ITO层和一M层；所述M层位于两ITO层之间，M层的In含量为≥In₂O₃中In含量的含In层，以保障M层与两ITO层之间相互结合的稳定性而保障所述多层复合ITO薄膜的结构稳定性；所述M层具有8nm～16nm的厚度，M层并与两所述ITO 层具有200nm～600nm的总厚度，以保障所述多层复合ITO薄膜的透光性的同时降低所述多层复合ITO薄膜的片阻。

进一步地，所述多层复合ITO薄膜以两所述ITO层中的一ITO层被沉积于一基片的结构状态被承载于所述基片。

进一步地，所述基片为钠钙玻璃基片。

进一步地，所述多层复合ITO薄膜还包括一金属Ti层，所述金属Ti层位于所述M层和其中一所述ITO层之间，对应形成该所述ITO层经所述金属Ti层过渡与所述M层结合的结构形态。

进一步地，所述M层以纯度≥99％的金属In靶材通过磁控溅射的方式制得。

进一步地，两层所述ITO层均为以铟锡比为1∶9的ITO靶材通过磁控溅射方式制得。

进一步地，所述通过磁控溅射方式溅射所述M层的溅射功率控制在60W～150W的范围，溅射时间10s～11s，以使得所述M层的厚度能够被控制在8nm～16nm的厚度范围。