[发明专利]安控晶闸管及其在地面供电安全上的应用和制作方法在审
申请号: | 202210673909.8 | 申请日: | 2022-06-15 |
公开(公告)号: | CN115173848A | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 赵建立 | 申请(专利权)人: | 沈阳利为智能科技中心 |
主分类号: | H03K17/72 | 分类号: | H03K17/72;B60M1/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 110170 辽宁省沈阳市*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶闸管 及其 地面 供电 安全 应用 制作方法 | ||
1.安控晶闸管,包括内置晶闸管芯片(J)、阳极(A)和阴极(K),所述阳极(A)连接所述内置晶闸管芯片(J)的阳极;所述阴极(K)连接所述内置晶闸管芯片(J)的阴极;其特征在于,还包括内部控制电路(XRC)和负极(N),所述内部控制电路(XRC)连接所述阴极(K)和负极(N);当所述阴极(K)连接触发电压信号时,所述内部控制电路(XRC)输出控制所述内置晶闸管芯片(J)导通。
2.根据权利要求1所述的安控晶闸管,其特征在于,所述内置晶闸管芯片(J)为光控晶闸管(LTT);所述内部控制电路(XRC)包括第一电阻(R1)和发光二极管(LED);所述阴极(K)经所述第一电阻(R1)连接所述发光二极管(LED)正极,所述发光二极管(LED)负极连接所述负极(N),当所述阴极(K)有触发电压信号时,所述发光二极管(LED)发光,照射触发所述光控晶闸管(LTT)导通。
3.根据权利要求1所述的安控晶闸管,其特征在于,所述内置晶闸管芯片(J)为光控晶闸管(LTT);所述内部控制电路(XRC)包括第一电阻(R1)、发光二极管(LED)、第二电阻(R2)和电容(C);所述阴极(K)经所述第一电阻(R1)连接所述发光二极管(LED)正极,所述发光二极管(LED)负极经所述第二电阻(R2)连接所述负极(N),所述第二电阻(R2)并联有所述电容(C),当所述阴极(K)有触发电压信号时,所述发光二极管(LED)发光,照射触发所述光控晶闸管(LTT)导通。
4.根据权利要求1所述的安控晶闸管,其特征在于,所述内置晶闸管芯片(J)为晶闸管(SCR);所述内部控制电路(XRC)包括脉冲变压器(T)和第一电阻(R1);所述晶闸管(SCR)阴极经第一电阻(R1)连接所述脉冲变压器(T)的一个输入端,所述脉冲变压器(T)的另一个输入端连接所述负极(N);所述晶闸管(SCR)门极和阴极连接所述脉冲变压器(T)的输出端。
5.根据权利要求1所述的安控晶闸管,其特征在于,所述内置晶闸管芯片(J)为晶闸管(SCR);所述内部控制电路(XRC)包括脉冲变压器(T)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)和电容(C);所述晶闸管(SCR)阴极经第一电阻(R1)连接所述脉冲变压器(T)的一个输入端,所述脉冲变压器(T)的另一个输入端经第二电阻(R2)连接所述负极(N),所述第二电阻(R2)并联有电容(C);所述晶闸管(SCR)门极和阴极连接所述脉冲变压器(T)的输出端。
6.根据权利要求1所述的安控晶闸管,其特征在于,所述内置晶闸管芯片(J)为晶闸管(SCR);所述内部控制电路(XRC)包括光耦(U)、第一电阻(R1)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)和电容(C);所述晶闸管(SCR)阴极经第一电阻连接所述光耦(U)的正极输入端,所述光耦(U)的负极输入端连接所述负极(N);所述晶闸管(SCR)阴极经第三电阻(R3)连接所述晶闸管(SCR)门极,所述晶闸管(SCR)门极连接所述光耦(U)的一个输出端,所述光耦(U)的另一个输出端经第四电阻(R4)连接所述晶闸管(SCR)的阳极。
7.根据权利要求1所述的安控晶闸管,其特征在于,所述内置晶闸管芯片(J)为晶闸管(SCR);所述内部控制电路(XRC)包括光耦(U)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)和电容(C);所述晶闸管(SCR)阴极经第一电阻连接所述光耦(U)的正极输入端,所述光耦(U)的负极输入端经第二电阻(R2)连接所述负极(N),所述第二电阻(R2)并联有电容(C);所述晶闸管(SCR)阴极经第三电阻(R3)连接所述晶闸管(SCR)门极,所述晶闸管(SCR)门极连接所述光耦(U)的一个输出端,所述光耦(U)的另一个输出端经第四电阻(R4)连接所述晶闸管(SCR)的阳极。
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