[发明专利]集成电路以及其制作方法在审
| 申请号： | 202210676308.2 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN115036373A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 邱久容;林宏展;陈禹钧 | 申请（专利权）人： | 蓝枪半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/77;H01L27/02;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王锐 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 制作方法 | ||
1.一种集成电路，包括：
第一绝缘层，其中一第一沟槽贯穿该第一绝缘层；
底板，部分设置于该第一绝缘层上且部分设置于该第一沟槽中；
第一图案化介电层，设置于该底板上，其中至少部分的该第一图案化介电层设置于该第一沟槽中；
中板，设置于该第一图案化介电层上，其中至少部分的该中板设置于该第一沟槽中，且该底板、该第一图案化介电层以及该中板构成一第一金属-绝缘层-金属(metal-insulator-metal，MIM)电容器；
第二图案化介电层，设置于该中板上；以及
上板，设置于该第二图案化介电层上，其中该中板、该第二图案化介电层以及该上板构成一第二金属-绝缘层-金属电容器，且该底板与该上板电连接。
2.如权利要求1所述的集成电路，其中该上板于该第一绝缘层的一厚度方向上的投影面积小于该中板于该第一绝缘层的该厚度方向上的投影面积。
3.如权利要求1所述的集成电路，其中该中板部分设置于该第一绝缘层上且部分设置于该第一沟槽中，且该第二图案化介电层设置于该第一沟槽之外。
4.如权利要求1所述的集成电路，还包括：
第二沟槽，贯穿该第一绝缘层，其中部分的该底板、部分的该第一图案化介电层以及部分的该中板设置于该第二沟槽中。
5.如权利要求1所述的集成电路，其中至少部分的该第二图案化介电层以及至少部分的该上板设置于该第一沟槽中。
6.如权利要求1所述的集成电路，还包括：
导电层，设置于该第一绝缘层之下，其中该第一沟槽设置于该导电层上，且位于该第一沟槽内的该底板与该导电层电连接。
7.如权利要求6所述的集成电路，还包括：
第二绝缘层，设置于该第一绝缘层与该上板上；
第三沟槽，贯穿该第二绝缘层且暴露出部分的该上板；
第四沟槽，贯穿该第二绝缘层以及该第一绝缘层并暴露出部分的该导电层；以及
第一连接结构，设置于该第三沟槽以及该第四沟槽中，其中该底板通过该导电层以及该第一连接结构而与该上板电连接。
8.如权利要求7所述的集成电路，还包括：
第二连接结构，设置于该中板上且与该中板电连接，其中该第二连接结构与该第一连接结构电性分离。
9.如权利要求1所述的集成电路，其中该第一沟槽被该底板、该第一图案化介电层以及该中板填满。
10.如权利要求1所述的集成电路，其中该第一沟槽被该底板、该第一图案化介电层、该中板、该第二图案化介电层以及该上板填满。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于蓝枪半导体有限责任公司，未经蓝枪半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210676308.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
