[发明专利]一种碳化硅功率器件的保护电路及驱动电路

权利要求书

1.一种碳化硅功率器件的保护电路，其特征在于，包括：

驱动芯片(3)，设置有输出端口(VOUT)，所述驱动芯片(3)通过所述输出端口(VOUT)向外输出驱动电压；

碳化硅功率开关(4)，所述碳化硅功率开关(4)的控制端与栅极电阻(R5)的第一端连接，所述栅极电阻(R5)的第二端与所述输出端口(VOUT)连接；

第一保护开关(VT1)，所述第一保护开关(VT1)的控制端连接在所述输出端口(VOUT)与所述栅极电阻(R5)之间，所述第一保护开关(VT1)的第一端通过第一电容(C1)接地，所述第一保护开关(VT1)的第二端与所述碳化硅功率开关(4)的控制端连接；

当所述碳化硅功率开关(4)处于关闭状态时，所述驱动芯片(3)通过所述输出端口(VOUT)向外输出负压。

2.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述驱动芯片(3)还设置有钳位端口(CLAMP)，所述钳位端口(CLAMP)连接在所述栅极电阻(R5)与所述输出端口(VOUT)之间。

3.根据权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述驱动芯片(3)的输出端口(VOUT)连接有第二电容(C2)，所述第二电容(C2)与所述栅极电阻(R5)连接，所述钳位端口(CLAMP)连接在所述栅极电阻(R5)与所述第二电容(C2)之间。

4.根据权利要求1至3任一项所述的保护电路，其特征在于，还包括：

钳位电路，与所述栅极电阻(R5)并联。

5.根据权利要求4所述的保护电路，其特征在于，所述钳位电路包括：

第一电阻(R1)，所述第一电阻(R1)的第一端与所述碳化硅功率开关(4)的控制端连接；

第一二极管(D1)，所述第一二极管(D1)的阳极与所述第一电阻(R1)的第二端连接，所述第一二极管(D1)的阴极与所述栅极电阻(R5)靠近所述驱动芯片(3)的一端连接。

6.根据权利要求1至3任一项所述的保护电路，其特征在于，所述第一保护开关(VT1)为PNP型三极管。

7.根据权利要求6所述的保护电路，其特征在于，还包括：

第二电阻(R2)，所述第二电阻(R2)的第一端与所述第一保护开关(VT1)的控制端连接，所述第二电阻(R2)的第二端与所述栅极电阻(R5)的第二端连接。

8.根据权利要求7所述的保护电路，其特征在于，还包括：

第二二极管(D2)，所述第二二极管(D2)的阳极与所述碳化硅功率开关(4)的控制端连接，所述第二二极管(D2)的阴极与所述第一保护开关(VT1)的第二端连接。

9.根据权利要求8所述的保护电路，其特征在于，还包括：

去饱和电路，所述去饱和电路的一端与所述驱动芯片(3)的去饱和端口(DESAT)连接，所述去饱和电路的另一端与所述碳化硅功率开关(4)的第一端连接，所述碳化硅功率开关(4)的第一端与供电电源(VCC)连接。

10.一种碳化硅功率器件的驱动电路，其特征在于，包括：

主控芯片(1)，用于发出控制信号，以及接收驱动芯片(3)发出的故障信号；当所述驱动芯片(3)的去饱和端口(DESAT)检测到去饱和电路产生电信号时，所述驱动芯片(3)的故障检测端口(FLT)向所述主控芯片(1)发出所述故障信号；

信号隔离电路(2)，一端与所述主控芯片(1)连接，另一端与所述驱动芯片(3)的输入端口(IN+)连接；

以及如上述权利要求1至9任一项所述的碳化硅功率器件的保护电路。