[发明专利]三维封装结构和方法在审
申请号: | 202210745651.8 | 申请日: | 2022-06-27 |
公开(公告)号: | CN116093056A | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 蒋航;姜剑;韩笛 | 申请(专利权)人: | 成都芯源系统有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/552;H01L23/64 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 611731 四川省成都市成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 三维 封装 结构 方法 | ||
本申请公开了一种三维封装结构和方法。所述三维封装结构包括:支撑层,包含有金属线;第一磁性层,附着于支撑层的第一表面;上板,被堆叠在支撑层之上;第一磁性层,附着于支撑层的第二表面和上板之间,其中所述支撑层的第一表面和第二表面互为对立面;集成电路裸片,被堆叠在上板之上,所述集成电路裸片包含有稳压器。所述三维封装结构和方法加大了功率输出量、弱化了辐射、并显著减小了封装尺寸。
技术领域
本发明涉及一种半导体封装,更具体地说,本发明涉及一种三维封装结构和方法。
背景技术
隔离功率模块封装包含变压器、集成电路裸片、电容及其他元器件。其中集成电路裸片里集成有稳压器,并与变压器并排放置在印制电路板上,使得封装尺寸变大。此外,变压器通常采用无磁铁的空气变压器,该变压器在功率等级和电磁干扰(EMI)性能方面均较差。
因此,本领域一直致力于提供更好的封装结构以解决上述问题。
发明内容
因此本发明的目的在于解决现有技术的上述技术问题,提出一种三维封装结构,包括:支撑层,包含有金属线;第一磁性层,附着于支撑层的第一表面;上板,被堆叠在支撑层之上;第一磁性层,附着于支撑层的第二表面和上板之间,其中所述支撑层的第一表面和第二表面互为对立面;集成电路裸片,被堆叠在上板之上,所述集成电路裸片包含有稳压器。
根据本发明的实施例,还提出了一种三维封装结构,包括:支撑层,包含有金属线;第一磁性层和第二磁性层,分别附着于支撑层的第一表面和第二表面,所述第一表面和第二表面互为对立面;集成电路裸片,装配在第一磁性层之上,所述集成电路裸片包含有稳压器。
根据本发明的实施例,还提出了一种三维封装方法,包括:将第一磁性层附着于支撑层的第一表面,所述支撑层包含有金属线;将第二磁性层附着于支撑层的第二表面和上板之间,其中上板被堆叠在支撑层之上,支撑层的第一表面和第二表面互为对立面;将集成电路裸片堆叠在上板之上,所述集成电路裸片包含有稳压器;将其他无源器件装配在上板之上。
根据本发明各方面的上述三维封装结构和方法,加大了功率输出量、弱化了辐射、并显著减小了封装尺寸。
附图说明
图1为根据本发明实施例的三维封装结构100的结构示意图;
图2为根据本发明实施例的三维封装结构200的结构示意图;
图3为根据本发明实施例的三维封装结构300的结构示意图;
图4示意性示出了根据本发明实施例的三维封装方法的流程图400。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的具体实施例,应当注意,这里描述的实施例只用于举例说明,并不用于限制本发明。在以下描述中,为了提供对本发明的透彻理解,阐述了大量特定细节。然而,对于本领域普通技术人员显而易见的是:不必采用这些特定细节来实行本发明。在其他实例中,为了避免混淆本发明,未具体描述公知的电路、材料或方法。
在整个说明书中,对“一个实施例”、“实施例”、“一个示例”或“示例”的提及意味着:结合该实施例或示例描述的特定特征、结构或特性被包含在本发明至少一个实施例中。因此,在整个说明书的各个地方出现的短语“在一个实施例中”、“在实施例中”、“一个示例”或“示例”不一定都指同一实施例或示例。此外,可以以任何适当的组合和/或子组合将特定的特征、结构或特性组合在一个或多个实施例或示例中。此外,本领域普通技术人员应当理解,在此提供的附图都是为了说明的目的,并且附图不一定是按比例绘制的。应当理解,当称元件“耦接到”或“连接到”另一元件时,它可以是直接耦接或耦接到另一元件或者可以存在中间元件。相反,当称元件“直接耦接到”或“直接连接到”另一元件时,不存在中间元件。相同的附图标记指示相同的元件。这里使用的术语“和/或”包括一个或多个相关列出的项目的任何和所有组合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都芯源系统有限公司,未经成都芯源系统有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210745651.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。