[发明专利]一种测试晶体硅体区复合的方法

权利要求书

1.一种测试晶体硅体区复合的方法，其特征在于，将晶体硅在不同载流子注入浓度下的体区暗态饱和电流密度值来表示晶体硅的体区复合值，其包括如下步骤：

S1、制备待测的晶体硅样品：在晶硅衬底的前表面依次制备载流子选择性层和减反射膜，并在晶硅衬底的后表面依次制备载流子选择性层和减反射膜；其中，载流子选择性层为同质结构或钝化接触结构；

S2、测试所述晶体硅样品在不同载流子注入浓度下的隐开路电压值及表面暗态饱和电流密度值；

S3、根据不同载流子注入浓度下的隐开路电压值，获得所述晶体硅样品在不同载流子注入浓度下的总暗态饱和电流密度值；

S4、根据不同载流子注入浓度下的表面暗态饱和电流密度值和总暗态饱和电流密度值，获得所述晶体硅样品的体区复合值。

2.根据权利要求1所述的一种测试晶体硅体区复合的方法，其特征在于，步骤S1中，所述同质结构为P型或N型的单晶掺杂层，同质结构的方阻值为10～500Ω/sq、结深为0.3～3μm。

3.根据权利要求1所述的一种测试晶体硅体区复合的方法，其特征在于，步骤S1中，所述同质结构采用热扩散或离子注入的方式制得。

4.根据权利要求1所述的一种测试晶体硅体区复合的方法，其特征在于，步骤S1中，所述钝化接触结构包括隧穿氧化层和叠设于隧穿氧化层表面的重掺杂多晶硅层。

5.根据权利要求4所述的一种测试晶体硅体区复合的方法，其特征在于，所述隧穿氧化层的材质为氧化硅、氧化钛或氧化铝，隧穿氧化层的厚度为0.5～3.0nm。

6.根据权利要求4所述的一种测试晶体硅体区复合的方法，其特征在于，所述重掺杂多晶硅层的导电类型为N型或P型，重掺杂多晶硅层的厚度为30～600nm、掺杂浓度为0.1～8.0E+20cm^-3。

7.根据权利要求1所述的一种测试晶体硅体区复合的方法，其特征在于，步骤S1中，所述减反射膜为氧化铝膜、二氧化硅膜、氮化硅膜和氮氧化硅膜中的一种膜或多种膜形成的叠层结构；所述减反射膜的厚度为50～150nm。

8.根据权利要求1-7任一项所述的一种测试晶体硅体区复合的方法，其特征在于，步骤S2中，采用少子寿命测试仪测试所述晶体硅样品的不同载流子注入浓度下的隐开路电压值及表面暗态饱和电流密度值。

9.根据权利要求1-7任一项所述的一种测试晶体硅体区复合的方法，其特征在于，步骤S3中，通过如下公式计算得到所述晶体硅样品在不同载流子注入浓度下的总暗态饱和电流密度值：

式中，J_G为不同载流子注入浓度Δn下的光生电流值，i-V_oc为晶体硅样品不同载流子注入浓度Δn下的隐开路电压值，J_0,T为不同载流子注入浓度Δn下的总暗态饱和电流密度值，V_T为热电压，室温条件下V_T的大小为0.0259V。

10.根据权利要求1-7任一项所述的一种测试晶体硅体区复合的方法，其特征在于，步骤S4中，不同载流子注入浓度下的表面暗态饱和电流密度值和总暗态饱和电流密度值的差值，即为所述晶体硅在不同载流子注入浓度下的体区暗态饱和电流密度值，其计算公式为：

J_0,B＝J_0,T-J_0,S

式中，J_0,T为不同载流子注入浓度Δn下总暗态饱和电流密度值，J_0,S为不同载流子注入浓度Δn下表面暗态饱和电流密度，J_0,B为晶体硅样品不同载流子注入浓度Δn下的体区的暗态饱和电流密度值。