[发明专利]硅通孔的处理方法、处理装置、电子设备及存储介质在审
申请号: | 202210774279.3 | 申请日: | 2022-07-01 |
公开(公告)号: | CN115148665A | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 王荣栋;杨云春;陆原;张拴 | 申请(专利权)人: | 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 王礞 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅通孔 处理 方法 装置 电子设备 存储 介质 | ||
1.一种硅通孔的处理方法,其特征在于,所述处理方法包括:
提供晶圆,所述晶圆上形成有硅通孔;
将所述晶圆置于处理腔,向所述处理腔内通入氟化氙气体,并在所述处理腔内的氟化氙气体压力达到设定压力后保持设定时间段。
2.如权利要求1所述的处理方法,其特征在于,所述设定压力不超过5托。
3.如权利要求2所述的处理方法,其特征在于,所述设定压力为2托。
4.如权利要求1所述的处理方法,其特征在于,所述设定时间段的取值范围为2~4分钟。
5.如权利要求1所述的处理方法,其特征在于,在所述将所述晶圆置于处理腔之前,对所述处理腔抽真空。
6.如权利要求1所述的处理方法,其特征在于,在所述将所述晶圆置于真空腔体之前,所述方法还包括:
清理所述硅通孔侧壁上的钝化聚合物,获得清理后的晶圆;
所述将所述晶圆置于处理腔,包括:
将所述清理后的晶圆置于所述处理腔。
7.一种硅通孔的处理装置,其特征在于,所述处理装置包括:
提供模块,用于提供晶圆,所述晶圆上形成有硅通孔;
处理模块,用于将所述晶圆置于处理腔,向所述处理腔内通入氟化氙气体,并在所述处理腔内的氟化氙气体压力达到设定压力后保持设定时间段。
8.如权利要求7所述的处理装置,其特征在于,还包括清理模块,所述清理模块用于:
清理所述硅通孔侧壁上的钝化聚合物,获得清理后的晶圆。
9.一种电子设备,所述电子设备包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至6中任一项所述处理方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述处理方法的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造