[发明专利]一种晶体硅各向异性腐蚀方法在审
| 申请号： | 202210774666.7 | 申请日： | 2022-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN115172152A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 彭奎庆;王江;白冰 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/0236;H01L31/18;C09K13/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 各向异性 腐蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体硅各向异性腐蚀方法，其特征在于：所述方法按照以下步骤进行
(1)将表面清洁的晶体硅片放入盛有氯化铁和氢氟酸混合溶液的容器中，在20-80℃下反应1-24小时，然后将腐蚀后的晶体硅片放入盐酸和双氧水混合水溶液里面浸泡去除表面残存的金属离子。
2.根据权利要求1所述的一种晶体硅各向异性腐蚀方法，所述步骤(1)中的晶体硅片是单晶和多晶硅片。
3.根据权利要求1所述的一种晶体硅各向异性腐蚀方法，所述步骤(1)中的腐蚀溶液含有氯化铁，氯化铁浓度为0.005-1.0mol/L。
4.根据权利要求1所述的一种晶体硅各向异性腐蚀方法，所述步骤(1)中的腐蚀溶液含有氢氟酸，氢氟酸浓度为0.5-20.0mol/L。
5.根据权利要求1所述的一种晶体硅各向异性腐蚀方法，晶体硅表面得到的金字塔阵列结构可应用于光电器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京师范大学，未经北京师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210774666.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
