[发明专利]一种基于外光电效应和二维电子气的光学随机存储器

权利要求书

1.一种基于外光电效应和二维电子气的光学随机存储器，其特征在于，包括：基板衬底(10)，所述基板衬底(10)的内部具有2DEG(15)，所述基板衬底(10)上设置有第一金属电极(12)和第二金属电极(13)，所述第一金属电极(12)和第二金属电极(13)的外部分别设置有第一导线(11)和第二导线(14)，所述基板衬底(10)的上方设置有透明介质(20)，所述透明介质(20)的下表面形成有透明导电膜(21)，所述透明介质(20)的上表面形成有二维结构薄膜(23)，所述透明导电膜(21)的外部设置有第三导线(22)。

2.根据权利要求1所述的一种基于外光电效应和二维电子气的光学随机存储器，其特征在于：所述第二金属电极(13)的接触方式为与二维电子气形成肖特基接触或半固定式的范德华接触作为电控式开关中的一种，为读取数据的正极。

3.根据权利要求1所述的一种基于外光电效应和二维电子气的光学随机存储器，其特征在于：所述第一金属电极(12)的接触方式为欧姆接触。

4.根据权利要求1所述的一种基于外光电效应和二维电子气的光学随机存储器，其特征在于：所述透明介质(20)的材质为光学玻璃或树脂镜片中的一种。

5.根据权利要求1所述的一种基于外光电效应和二维电子气的光学随机存储器，其特征在于：所述透明导电膜(21)的材质为ITO、GaP或MoTe2。

6.根据权利要求5所述的一种基于外光电效应和二维电子气的光学随机存储器，其特征在于：选用ITO时，ITO采用直流磁控溅射方法制备，选用GaP或MoTe2时，采用化学气相沉积法、液相剥离法成膜。

7.根据权利要求1所述的一种基于外光电效应和二维电子气的光学随机存储器，其特征在于：所述基板衬底(10)的材质为KTaO₃或SrTiO₃中的一种。

8.根据权利要求7所述的一种基于外光电效应和二维电子气的光学随机存储器，其特征在于：选用KTaO₃作为基板衬底(10)的材质时，KTaO₃表面二维电子气采用离子束轰击的方法实现，二维电子气浓度不超过10¹⁴cm³，并可实现二维电子气10⁵倍及以上的的电阻改变。

9.根据权利要求1所述的一种基于外光电效应和二维电子气的光学随机存储器，其特征在于：所述第一金属电极(12)和所述第二金属电极(13)均采用直流磁控溅射方法制得。