[发明专利]一种倒装高压发光二极管

说明书

本发明涉及发光二极管技术领域，具体而言，涉及一种倒装高压发光二极管。本发明通过在其中一发光单元上设计具有朝向倒装高压发光二极管中心位置的凸起部，避免顶针顶在隔离槽的薄弱处，同时避免了因膜层断裂导致的漏电情况，从而提高了可靠性。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，具体而言，涉及一种倒装高压发光二极管。

背景技术

倒装高压芯片是由若干个独立的倒装发光二极管芯片串联而成，兼具了倒装发光二极管和高压发光二极管的优势，如出光效率高、可靠性高、低成本、驱动效率高的等优势。广泛应用于照明、背光、miniLED等领域。

如图1和图2所示，该倒装高压芯片由两个发光单元通过连接电极串联而成，且两个发光单元之间通过隔离槽分开，每个发光单元包括外延结构、透明导电层、电极以及用于对外延结构、透明导电层、电极进行保护的保护层和焊盘，保护层通常是由氧化硅材料制成，或者是由氧化硅与氧化钛组合形成的分布式布拉格反射镜。

对现有倒装高压发光二极管进行分选或者封装时，需要使用顶针作用在倒装高压发光二极管的某一区域，以将其顶起并进行分选或固晶，如图3和图4所示，顶针的作用区域常常为倒装高压发光二极管的中心区域，这个位置通常为隔离槽所在位置，其通常设置有连接电极膜层和保护层，而芯片在封装，顶针需要从芯片正面顶起固晶，即顶针直接作用于保护层可能会出现顶针顶破膜保护层，造成漏电的情况。而在分选时，虽然顶针直接作用在芯片的背面，但在顶针顶起后需要强吸力的吸嘴从芯片正面吸附后转移到需要固定的位置，在吸附过程中也可能导致保护层破裂。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种倒装高压发光二极管，在其中一发光单元设计具有朝向倒装高压发光二极管中心位置的凸起部，避免顶针顶在隔离槽的薄弱处，避免了因膜层断裂导致的漏电情况，从而提高了的可靠性。

为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：

一种倒装高压发光二极管，包括：

一基板；

至少两个发光单元，位于所述基板上，每两个相邻的所述发光单元之间通过隔离槽进行隔离，每个所述发光单元均至少包括N型半导体层、发光层、P型半导体层、与N型半导体层电性连接的第一N电极和与P型半导体层电性连接的第一P电极；

以及至少一连接电极，分别电性连接相邻的所述发光单元的P型半导体层和N型半导体层；

其中，至少一发光单元具有朝向该倒装高压发光二极管中心位置的凸起部，所述凸起部与相邻的发光单元之间通过隔离槽进行隔离，所述凸起部的宽度大于所述隔离槽的宽度。

优选地，定义具有所述凸起部的发光单元为第一发光单元，定义距离所述第一发光单元最近的另一发光单元为第二发光单元，所述第一发光单元与所述第二发光单元为非对称结构。

优选地，所述第二发光单元具有与所述凸起部对应的凹陷部，所述凸起部在水平方向的投影包括圆弧形、正方形、三角形、矩形或多边形中的至少一种。

优选地，所述凸起部的长度W与第一发光单元的长度M之间的关系为：1/3M≤W≤1/2M。

更优选地，15μm≤W≤50μm。

优选地，所述倒装高压包括从基板向外延伸方向上依次设置的第一电极层、第二电极层和焊盘电极层；

其中，所述第一电极层包括多个分别分散设置在每个发光单元上的第一N型电极和第一P型电极；

其中，所述第二电极层包括第二P型电极、第二N型电极和连接相邻发光单元的所述第一P型电极与所述第一N型电极的PN连接电极；