[发明专利]电子管芯制造方法

权利要求书

1.一种电子管芯制造方法，包括：

在半导体衬底的第一表面上沉积电绝缘层，所述半导体衬底包括多个集成电路和耦合到所述多个集成电路的接触焊盘，所述接触焊盘位于所述半导体衬底的与所述第一表面相对的第二表面上；以及

在所述半导体衬底的所述第二表面上形成第一沟槽，所述第一沟槽将所述多个集成电路彼此电隔离，所述第一沟槽从所述第二表面延伸到所述半导体衬底中，并且所述第一沟槽到达所述电绝缘层或延伸到所述电绝缘层中。

2.根据权利要求1所述的方法，包括：在形成所述第一沟槽之后，将所述半导体衬底切割成单独的半导体管芯。

3.根据权利要求2所述的方法，其中切割所述半导体衬底包括：在所述第一沟槽中形成第二沟槽。

4.根据权利要求2所述的方法，其中切割所述半导体衬底包括：减薄所述电绝缘层。

5.根据权利要求2所述的方法，包括：在切割所述半导体衬底之前和在形成所述第一沟槽之后，对所述多个集成电路进行电测试。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一沟槽均延伸跨越所述第一表面和所述第二表面之间的所述半导体衬底的整个厚度。

7.根据权利要求1所述的方法，包括：在沉积所述电绝缘层之后和在形成所述第一沟槽之前，在所述多个集成电路之间形成第三沟槽，所述第三沟槽从所述半导体衬底的所述第一表面延伸到所述第一表面和所述第二表面之间的所述半导体衬底的厚度的一部分。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第三沟槽均在所述半导体衬底中向下延伸到在所述第一表面和所述第二表面之间的所述半导体衬底的厚度的30％至75％范围内的深度。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述第三沟槽均具有大于所述第一沟槽中的每个第一沟槽的宽度。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底的厚度在50μm至500μm的范围内。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述半导体衬底的厚度在50μm至130μm的范围内。

12.一种方法，包括：

在半导体衬底的第一表面上形成多个第一沟槽，所述半导体衬底包括多个集成电路和耦合到所述多个集成电路的接触焊盘，所述接触焊盘位于所述半导体衬底的与所述第一表面相对的第二表面上，所述多个第一沟槽均在到达所述第二表面之前终止于所述半导体衬底内；

在所述半导体衬底的所述第一表面上沉积电绝缘层，并且填充所述多个第一沟槽；以及

在所述半导体衬底的所述第二表面上形成多个第二沟槽，所述多个第二沟槽中的每个第二沟槽与所述多个第一沟槽中的第一沟槽重叠，并且从所述第二表面至少延伸到所述第一沟槽中的所述电绝缘层，所述多个第二沟槽和所述电绝缘层将所述多个集成电路彼此隔开。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述多个第二沟槽均延伸到所述电绝缘层中。

14.根据权利要求12所述的方法，包括：通过所述多个第二沟槽中的第二沟槽切割所述半导体衬底。

15.根据权利要求14所述的方法，包括：在切割所述半导体衬底之前和在形成所述多个第二沟槽之后，对所述多个集成电路进行电测试。

16.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一沟槽均在所述半导体衬底中向下延伸到在所述第一表面和所述第二表面之间的所述半导体衬底的厚度的30％至75％范围内的深度。