[发明专利]电子管芯制造方法

说明书

本发明涉及一种电子管芯制造方法，包括：a)在半导体衬底的第一表面侧上沉积电绝缘树脂层，电绝缘树脂层的内部和顶部已经预先形成了多个集成电路，半导体衬底在与第一表面相对的第二表面上支撑接触焊盘；以及b)在半导体衬底的第二表面侧上形成第一沟槽，该第一沟槽将集成电路彼此电隔离，第一沟槽在半导体衬底中垂直延伸并伸出到树脂层中或在树脂层的顶部。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年7月16日提交的名为“电子管芯制造方法(ELECTRONIC DIEMANUFACTURING METHOD)”的法国专利申请号为FR2107694的优先权，在法律允许的最大范围内通过引用将该专利申请合并于此。

技术领域

本公开总体上涉及半导体电子管芯的制造。

背景技术

通常，一种制造电子管芯的方法可以包括最后的电测试步骤，在此期间，借助于电连接到电子测试设备的金属测试垫，将电测试信号施加到管芯连接金属层。

希望至少部分地改进已知的电子管芯制造方法的某些方面。

发明内容

一个实施例提供了一种电子管芯制造方法，包括：

步骤a)，在半导体衬底的第一表面侧上沉积电绝缘树脂层，电绝缘树脂层的内部和顶部已经预先形成了多个集成电路，半导体衬底在与第一表面相对的第二表面上支撑接触焊盘；以及

步骤b)，在半导体衬底的第二表面侧上形成第一沟槽，将集成电路彼此电隔离，第一沟槽在半导体衬底中垂直延伸并进入到树脂层中或树脂层的顶部。

根据一个实施例，步骤b)之后是电子管芯的单个化(individualization)的步骤c)。

根据一个实施例，通过在第一沟槽中形成第二沟槽来实现步骤c)中的单个化。

根据一个实施例，通过减薄绝缘树脂层来实现步骤c)中的单个化。

根据一个实施例，该方法在步骤b)和c)之间包括对集成电路进行电测试的步骤d)。

根据一个实施例，第一沟槽延伸穿过衬底的整个厚度。

根据一个实施例，该方法包括在步骤a)和步骤b)之间形成第三沟槽的步骤，该第三沟槽在集成电路之间从半导体衬底的第一表面横跨半导体衬底的一部分厚度延伸。

根据一实施例，第三沟槽在半导体衬底中向下延伸到半导体衬底的厚度的30％至75％范围内的深度。

根据一个实施例，第三沟槽的宽度大于第一沟槽的宽度。

根据一个实施例，在步骤a)期间，半导体衬底的厚度在50μm至500μm的范围内，优选50μm至130μm。

附图说明

上述特征和优点以及其他将在以下参照附图以说明而不是限制的方式给出的特定实施例的描述中详细描述，其中：

图1以截面图示出了根据第一实施例的电子管芯制造方法的示例的步骤；

图2以截面图示出了根据第一实施例的电子管芯制造方法的示例的另一步骤；

图3以截面图示出了根据第一实施例的电子管芯制造方法的示例的另一步骤；

图4以截面图示出了根据第一实施例的电子管芯制造方法的示例的另一步骤；

图5以截面图示出了根据第一实施例的电子管芯制造方法的示例的另一步骤；

图6以截面图示出了根据第一实施例的电子管芯制造方法的示例的另一步骤；