[发明专利]发声装置和终端设备

权利要求书

1.一种发声装置，其特征在于，所述发声装置包括：

盆架，所述盆架设有两端开口的容腔；

磁路系统，所述磁路系统包括U铁、内磁路部分及外磁路部分，所述U铁具有容置槽，所述内磁路部分设于所述容置槽内，所述U铁邻近所述容置槽槽口的端面形成支撑面，所述外磁路部分设于所述支撑面，并与所述盆架连接，所述外磁路部分和所述U铁配合以盖合所述容腔一端的开口，所述容置槽的侧壁和所述外磁路部分与所述内磁路部分间隔以形成磁间隙，所述内磁路部分面向所述磁间隙的一侧设有缺口槽；及

振动系统，所述振动系统包括振膜和连接于所述振膜的音圈，所述振膜连接于所述盆架，并盖合所述容腔另一端的开口，所述音圈远离所述振膜的一端悬设于所述磁间隙内。

2.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述内磁路部分包括层叠设置的内磁铁和内华司，所述内磁铁夹设于所述内华司和所述容置槽的底壁之间，所述内华司面向所述磁间隙的一侧设有所述缺口槽；

所述外磁路部分包括层叠设置的外磁铁和外华司，所述外磁铁夹设于所述外华司和所述支撑面之间，所述外华司与所述盆架连接。

3.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述内华司背向所述内磁铁的一侧设有凹陷槽。

4.根据权利要求3所述的发声装置，其特征在于，定义所述内磁铁的厚度为h1，定义所述外磁铁的厚度为h2，其中，0.8≤h1/h2≤1.2；

且/或，定义所述内华司的最大厚度为t1，定义所述外华司的厚度t2，其中，2≤t1/t2≤2.5；

且/或，定义所述内华司的半径为d1，定义所述外华司的宽度为d2，其中，1.5≤d1/d2≤2；

且/或，所述凹陷槽的截面呈半圆形，定义所述凹陷槽的半径为R，定义所述内华司的最大厚度为t1，定义所述内华司的半径为d1，其中，t1＜R＜d1。

5.根据权利要求3所述的发声装置，其特征在于，所述缺口槽沿所述内华司的周缘延伸设置；

且/或，所述缺口槽邻近所述内磁铁设置；

且/或，所述外华司背向所述磁间隙的一侧凸设有限位凸起，所述盆架设有限位槽，所述限位凸起容纳并限位于所述限位槽内。

6.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述内磁路部分还包括短路环，所述短路环包括呈夹角设置的第一段和第二段，所述第一段与所述内华司背向所述内磁铁的一侧连接，所述第二段贴附于所述内华司面向所述磁间隙的一侧，并延伸至所述内磁铁，以遮盖所述缺口槽。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的发声装置，其特征在于，定义所述缺口槽沿所述磁间隙轴线方向的长度为a，定义所述缺口槽沿垂直于所述磁间隙轴线方向的长度为b；其中，1.8≤a/b≤2.2。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述容置槽的底壁凸设有凸台，所述凸台与所述容置槽的侧壁间隔，并围合形成连通所述容置槽的避位槽，所述避位槽与所述磁间隙对应，所述内磁路部分支撑于所述凸台；

且/或，所述U铁背向所述容置槽槽口的一侧凹设有凹槽。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述振动系统还包括定心环，所述定心环的内侧与所述音圈的外壁连接，所述盆架凸设有固定台，所述定心环的外侧与所述固定台连接；

且/或，所述U铁邻近所述支撑面朝向背离所述容置槽的一侧延伸形成支撑台，所述支撑台与所述支撑面齐平，所述外磁路部分支撑于所述支撑面和所述支撑台。

10.一种终端设备，其特征在于，包括设备壳体和如权利要求1至9中任一项所述的发声装置，所述发声装置设于所述设备壳体。