[发明专利]一种去除含碳杂质的方法和装置、以及多晶硅生产系统

权利要求书

1.一种去除含碳杂质的方法，包括：

对含有三氯氢硅、甲基氯硅烷的物料进行物理吸附处理，吸附分离出含碳杂质甲基氯硅烷，得到三氯氢硅和含有碳杂质甲基氯硅烷、三氯氢硅的吸附物；

对所述吸附物进行脱附处理，得到再生料；

将所述再生料中的碳杂质甲基氯硅烷中的甲基二氯硅烷转化为甲基三氯硅烷，得到混合料；

对混合料进行精馏分离，分离出混合料中的碳杂质甲基氯硅烷，得到三氯氢硅。

2.根据权利要求1所述的去除含碳杂质的方法，其特征在于，所述物理吸附处理采用大孔氨基吸附树脂作为吸附剂，所述物理吸附处理的温度为45-55℃，所述物理吸附处理的压力为0.5-0.8MPa。

3.根据权利要求2所述的去除含碳杂质的方法，其特征在于，对所述吸附物进行脱附处理，具体包括：

将吸附物加热至85℃-110℃，使吸附物升温脱附。

4.根据权利要求3所述的去除含碳杂质的方法，其特征在于，所述将再生料中的含碳杂质甲基氯硅烷中的甲基二氯硅烷转化为甲基三氯硅烷，具体包括：

将再生料置于50-60℃、0.3-0.6MPa环境中，并加入大孔径碱性吸附剂作为催化剂，使再生料中的甲基二氯硅烷与四氯化硅反应生成甲基三氯硅烷。

5.一种去除含碳杂质的装置，其特征在于，包括物理吸附设备、化学反应设备(22)、以及精馏设备(23)，

所述物理吸附设备，用于通入含有三氯氢硅、甲基氯硅烷的物料并对其进行物理吸附处理，得到三氯氢硅和含有碳杂质甲基氯硅烷、三氯氢硅的吸附物，以及，对所述吸附物进行脱附处理，得到再生料；

所述化学反应设备与所述物理吸附设备相连，用于接收所述再生料并使再生料中的含碳杂质甲基氯硅烷中的甲基二氯硅烷发生化学反应转化为甲基三氯硅烷，得到混合料；

所述精馏设备与所述化学反应设备相连，用于接收所述混合料并对其进行精馏处理，以分离出混合料中的含碳杂质甲基氯硅烷，得到三氯氢硅。

6.根据权利要求5所述的去除含碳杂质的装置，其特征在于，所述物理吸附设备包括吸附柱、热媒管线(6)、冷媒管线(7)、以及充压设备，

所述吸附柱内设有大孔氨基吸附树脂吸附剂，吸附柱上设有进料管线(5)、第一出料管线(20)、以及第二出料管线，其中，

所述进料管线用于通入所述含有三氯氢硅、甲基氯硅烷的物料，

所述第一出料管线用于输出物理吸附处理后得到的三氯氢硅，

所述第二出料管线与所述化学反应设备相连，用于将所述再生料排出至化学反应设备中；

所述热媒管线与所述冷媒管线均设于所述吸附柱的外壁上，热媒管线用于通入热媒介质，冷媒管线用于通入冷媒介质，以通过热媒介质、冷媒介质与吸附柱之间的热交换控制吸附柱的温度；

所述充压设备与所述吸附柱相连，用于向吸附柱内充入氮气或氢气，以进行充压。

7.根据权利要求6所述的去除含碳杂质的装置，其特征在于，所述物理吸附设备还包括吹扫管线，

所述吹扫管线与所述吸附柱相连，用于向吸附柱内通入再生吹扫气，以促进吸附物脱附。

8.根据权利要求7所述的去除含碳杂质的装置，其特征在于，所述物理吸附设备的数量为三套，分别为第一物理吸附设备(2)、第二物理吸附设备(3)、以及第三物理吸附设备(4)，

所述第一物理吸附设备、所述第二物理吸附设备、以及所述第三物理吸附设备并列设置，并且，

第一物理吸附设备、第二物理吸附设备、以及第三物理吸附设备中的进料管线、热媒管线、冷媒管线、第一出料管线、以及第二出料管线上分别设有切断阀，所述切断阀用于控制第一物理吸附设备、第二物理吸附设备、以及第三物理吸附设备的运行。