[发明专利]一种带台阶槽及埋入式线路的基板制作方法有效
申请号: | 202210922061.8 | 申请日: | 2022-08-02 |
公开(公告)号: | CN115397110B | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | 谷新 | 申请(专利权)人: | 中山芯承半导体有限公司 |
主分类号: | H05K3/00 | 分类号: | H05K3/00;H05K3/42;H05K3/46 |
代理公司: | 广东颖联知识产权代理事务所(普通合伙) 44647 | 代理人: | 钟作亮;何卓南 |
地址: | 528400 广东省中山市翠亨新区香*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 台阶 埋入 线路 制作方法 | ||
本发明公开了一种带台阶槽及埋入式线路的基板制作方法,包括以下步骤:步骤一:提供一块基板坯件;步骤二:在基板坯件上加工出通槽并嵌入阻胶片;步骤三:在基板坯件下表面依次压合第三绝缘介质层和第二铜箔层;步骤四:在第三绝缘介质层和第二铜箔层加工出盲孔;步骤五:进行图形转移形成干膜保护层、干膜图案层;步骤六:进行电镀处理形成第四线路层、第三填铜导电孔、第四填铜导电孔;步骤七:将干膜保护层和干膜图案层去除;步骤八:将裸露在外的那部分第二铜箔层去除;步骤九:制作阻焊层;步骤十:将阻胶片取出形成台阶槽;步骤十一:镀镍金形成镍金层作为用于与外部元器件互联的引脚。
技术领域
本发明涉及一种带台阶槽及埋入式线路的基板制作方法。
背景技术
随着以手机、平板电脑为代表的消费终端对芯片器件的薄型化和高密度化的需求发展,降低封装后芯片的高度和增加基板的布线密度是实现芯片器件薄型化和高密度化的主要途径。
目前通过制作埋入式线路可以大大降低基板上线路的线宽以及线距从而提高布线密度,然而采用埋入式线路的基板一般需要使用单面积层工艺制作,由于板件结构不对称这类基板往往存在较严重的翘曲情况。
因此,如何克服上述存在的缺陷,已成为本领域技术人员亟待解决的重要课题。
发明内容
本发明克服了上述技术的不足,提供了一种带台阶槽及埋入式线路的基板制作方法。
为实现上述目的,本发明采用了下列技术方案:
一种带台阶槽及埋入式线路的基板制作方法,包括以下步骤:
步骤一:提供一块基板坯件1,所述基板坯件1包括第一绝缘介质层11,所述第一绝缘介质层11的上表面设有第一线路层12、下表面设有第二线路层13,所述第一绝缘介质层11中设有与所述第一线路层12电连通的第一填铜导电孔14,所述第一绝缘介质层11上压合有第二绝缘介质层15,所述第二绝缘介质层15上表面设有埋入所述第二绝缘介质层15中的第三线路层16,所述第二绝缘介质层15上表面还覆盖有第一铜箔层17,所述基板坯件1上还设有位于第一绝缘介质层11和第二绝缘介质层15中并与所述第三线路层16电连通的第二填铜导电孔18;
步骤二:在所述基板坯件1上加工出贯穿所述基板坯件1的通槽19,并通过临时键合材料在所述通槽19内嵌入与所述基板坯件1上下平齐的阻胶片2;
步骤三:在所述基板坯件1下表面依次压合一层第三绝缘介质层3和一层第二铜箔层4;
步骤四:在所述第三绝缘介质层3和第二铜箔层4加工出分别与第一填铜导电孔14、第二填铜导电孔18位置对应的盲孔31;
步骤五:在所述第一铜箔层17和第二铜箔层4表面进行图形转移使第一铜箔层17表面形成干膜保护层5、使第二铜箔层4表面形成干膜图案层6;
步骤六:进行电镀处理,在第二铜箔层4未被干膜图案层6覆盖部分形成第四线路层7、在与所述第一填铜导电孔14位置对应的盲孔31处形成能够与第一填铜导电孔14电连通的第三填铜导电孔8、在与所述第二填铜导电孔18位置对应的盲孔31处形成能够与第二填铜导电孔18电连通的第四填铜导电孔9;
步骤七:使用化学溶液将所述干膜保护层5和干膜图案层6去除;
步骤八:使用酸性蚀刻溶液将第一铜箔层17和还裸露在外的那部分第二铜箔层4去除;
步骤九:分别在第三线路层16、第四线路层7、第三填铜导电孔8、第四填铜导电孔9表面制作用于将第三线路层16、第四线路层7、第三填铜导电孔8、第四填铜导电孔9不需要外露的部分保护起来的阻焊层10;
步骤十:通过激光加工将用于固定所述阻胶片2的临时键合材料烧蚀掉,将阻胶片2取出从而使所述通槽19处形成能够供外部元器件封装在其中的台阶槽;
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