[发明专利]用于增强功率递送的玻璃贴片中的局部高磁导率磁性区域在审
申请号: | 202211011302.X | 申请日: | 2022-08-23 |
公开(公告)号: | CN115939082A | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | S·V·皮耶塔姆巴拉姆;T·A·易卜拉欣;A·柯林斯 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/64;H01L21/48;H01L25/16 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 增强 功率 递送 玻璃 中的 局部 磁导率 磁性 区域 | ||
1.一种电子封装,包括:
芯,其中,所述芯包括玻璃;
所述芯之上的构建层;
嵌入所述构建层中的插塞,其中,所述插塞包括磁性材料;以及
裹绕所述插塞的电感器。
2.根据权利要求1所述的电子封装,其中,所述电感器包括穿过所述插塞的过孔,其中,所述过孔由所述插塞之上的迹线耦合在一起。
3.根据权利要求2所述的电子封装,其中,所述过孔具有锥形,其中,更接近所述芯的末端比远离所述芯的末端更窄。
4.根据权利要求1、2或3所述的电子封装,其中,所述电感器包括与所述插塞相邻的过孔,其中,所述过孔由所述插塞之上的迹线耦合在一起。
5.根据权利要求1、2或3所述的电子封装,还包括:
嵌入所述构建层中的桥,其中,所述桥与所述插塞相邻。
6.根据权利要求5所述的电子封装,其中,所述桥包括穿硅过孔。
7.根据权利要求5所述的电子封装,还包括:
所述构建层之上的第一管芯;以及
所述构建层之上的第二管芯,其中,所述桥将所述第一管芯通信地耦合到所述第二管芯。
8.根据权利要求1、2或3所述的电子封装,其中,所述电感器耦合到穿过所述芯的过孔。
9.根据权利要求1、2或3所述的电子封装,还包括:
所述芯之下的阻焊剂层,其中,在所述阻焊剂层上提供焊盘。
10.根据权利要求9所述的电子封装,其中,所述焊盘耦合到具有有机芯的封装衬底。
11.一种形成封装衬底的方法,包括:
穿过第一层形成开口,其中,所述第一层包括玻璃;
向所述开口中设置过孔;
在所述第一层之上形成第二层,其中,所述第二层包括电介质材料;
向所述第二层中形成腔体;
在所述腔体中设置插塞,其中,所述插塞包括磁性材料;以及
围绕所述插塞形成电感器。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述电感器包括:
穿过所述插塞的过孔,其中,所述过孔由所述插塞之上的迹线耦合在一起。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述过孔具有锥形,所述锥形具有比宽端更接近所述第一层的窄端。
14.根据权利要求11、12或13所述的方法,其中,形成所述过孔包括利用激光消融工艺形成过孔开口。
15.根据权利要求11、12或13所述的方法,还包括:嵌入所述第二层中的桥,其中,所述桥与所述插塞相邻。
16.根据权利要求15所述的方法,还包括:
将第一管芯耦合到所述第二层;以及
将第二管芯耦合到所述第二层,其中,所述第一管芯通过所述桥通信地耦合到所述第二管芯。
17.根据权利要求11、12或13所述的方法,还包括:
将所述第一层附接到封装衬底,其中,所述封装衬底包括有机芯。
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