[发明专利]用于增强功率递送的玻璃贴片中的局部高磁导率磁性区域在审

专利信息
申请号: 202211011302.X 申请日: 2022-08-23
公开(公告)号: CN115939082A 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: S·V·皮耶塔姆巴拉姆;T·A·易卜拉欣;A·柯林斯 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/64;H01L21/48;H01L25/16
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 林金朝
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 增强 功率 递送 玻璃 中的 局部 磁导率 磁性 区域
【权利要求书】:

1.一种电子封装,包括:

芯,其中,所述芯包括玻璃;

所述芯之上的构建层;

嵌入所述构建层中的插塞,其中,所述插塞包括磁性材料;以及

裹绕所述插塞的电感器。

2.根据权利要求1所述的电子封装,其中,所述电感器包括穿过所述插塞的过孔,其中,所述过孔由所述插塞之上的迹线耦合在一起。

3.根据权利要求2所述的电子封装,其中,所述过孔具有锥形,其中,更接近所述芯的末端比远离所述芯的末端更窄。

4.根据权利要求1、2或3所述的电子封装,其中,所述电感器包括与所述插塞相邻的过孔,其中,所述过孔由所述插塞之上的迹线耦合在一起。

5.根据权利要求1、2或3所述的电子封装,还包括:

嵌入所述构建层中的桥,其中,所述桥与所述插塞相邻。

6.根据权利要求5所述的电子封装,其中,所述桥包括穿硅过孔。

7.根据权利要求5所述的电子封装,还包括:

所述构建层之上的第一管芯;以及

所述构建层之上的第二管芯,其中,所述桥将所述第一管芯通信地耦合到所述第二管芯。

8.根据权利要求1、2或3所述的电子封装,其中,所述电感器耦合到穿过所述芯的过孔。

9.根据权利要求1、2或3所述的电子封装,还包括:

所述芯之下的阻焊剂层,其中,在所述阻焊剂层上提供焊盘。

10.根据权利要求9所述的电子封装,其中,所述焊盘耦合到具有有机芯的封装衬底。

11.一种形成封装衬底的方法,包括:

穿过第一层形成开口,其中,所述第一层包括玻璃;

向所述开口中设置过孔;

在所述第一层之上形成第二层,其中,所述第二层包括电介质材料;

向所述第二层中形成腔体;

在所述腔体中设置插塞,其中,所述插塞包括磁性材料;以及

围绕所述插塞形成电感器。

12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述电感器包括:

穿过所述插塞的过孔,其中,所述过孔由所述插塞之上的迹线耦合在一起。

13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述过孔具有锥形,所述锥形具有比宽端更接近所述第一层的窄端。

14.根据权利要求11、12或13所述的方法,其中,形成所述过孔包括利用激光消融工艺形成过孔开口。

15.根据权利要求11、12或13所述的方法,还包括:嵌入所述第二层中的桥,其中,所述桥与所述插塞相邻。

16.根据权利要求15所述的方法,还包括:

将第一管芯耦合到所述第二层;以及

将第二管芯耦合到所述第二层,其中,所述第一管芯通过所述桥通信地耦合到所述第二管芯。

17.根据权利要求11、12或13所述的方法,还包括:

将所述第一层附接到封装衬底,其中,所述封装衬底包括有机芯。

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