[发明专利]一种波分复用器在审
| 申请号： | 202211030061.3 | 申请日： | 2022-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN115113337A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 辛田;冯大增;武爱民 | 申请（专利权）人： | 上海羲禾科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/293 | 分类号： | G02B6/293 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 贾允 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 波分复用器 | ||
1.一种波分复用器，其特征在于，包括多个马赫泽德分光模块；所述多个马赫泽德分光模块中相邻两个马赫泽德分光模块之间通过光波导连接；
所述多个马赫泽德分光模块中各马赫泽德分光模块包括第一定向耦合器和第二定向耦合器；所述第一定向耦合器的透过率为预设值，所述预设值的范围为0.9~1；所述第二定向耦合器的透过率根据所述各马赫泽德分光模块的透过率设计值确定； 所述第二定向耦合器的透过率根据下述公式确定：
ki2=sin(π/2-asin(ki) )
其中，ki2表示第二定向耦合器的透过率；ki表示马赫泽德分光模块的透过率；asin(·)表示反正弦函数；
针对所述相邻两个马赫泽德分光模块：其中一个马赫泽德分光模块的第一定向耦合器的输出端，与另一个马赫泽德分光模块的第一定向耦合器的输入端连接；或者；所述其中一个马赫泽德分光模块的第二定向耦合器的输出端，与所述另一个马赫泽德分光模块的第二定向耦合器的输入端连接。
2.根据权利要求1所述的波分复用器，其特征在于，所述第一定向耦合器和所述第二定向耦合器之间设有相移单元；
所述相移单元对应的相移量的范围为 0~π。
3.根据权利要求2所述的波分复用器，其特征在于，所述马赫泽德分光模块的透过率的范围为0.495~0.505；
所述第二定向耦合器的透过率的范围为0.4~0.6；
所述相移量的范围为π/3.3~π/2.9。
4.根据权利要求2所述的波分复用器，其特征在于，所述马赫泽德分光模块的透过率的范围为0.275~0.285；
所述第二定向耦合器的透过率的范围为0.62~0.82；
所述相移量的范围为π/3.05~π/2.65。
5.根据权利要求2所述的波分复用器，其特征在于，所述马赫泽德分光模块的透过率的范围为0.03~0.13；
所述第二定向耦合器的透过率的范围为0.82~1；
所述相移量的范围为π/2.75~π/2.35。
6.根据权利要求2所述的波分复用器，其特征在于，所述马赫泽德分光模块的透过率的范围为0.15~0.25；
所述第二定向耦合器的透过率的范围为0.7~0.9；
所述相移量的范围为π/2.95~π/2.55。
7.根据权利要求2所述的波分复用器，其特征在于，所述马赫泽德分光模块的透过率的范围为0~0.09；
所述第二定向耦合器的透过率的范围为0.86~1；
所述相移量的范围为π/2.65~π/2.25。
8.根据权利要求2所述的波分复用器，其特征在于，所述光波导的高度范围为0.1~5.0微米；所述光波导的宽度范围为0.1~5微米；所述光波导的刻蚀深度范围为0.1~5微米。
9.根据权利要求1所述的波分复用器，其特征在于，所述波分复用器基于绝缘体上硅、氮化硅、氧化硅、聚合物中的任一种材料制备得到。
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