[发明专利]存储器装置的裸片上交叉温度管理在审
申请号: | 202211046231.7 | 申请日: | 2022-08-30 |
公开(公告)号: | CN115731971A | 公开(公告)日: | 2023-03-03 |
发明(设计)人: | K·K·姆奇尔拉;V·莫斯基亚诺;合田晃;J·S·麦克尼尔;辉俊胜;S·帕塔萨拉蒂;J·菲兹帕特里克;P·R·哈亚特 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14;G11C16/12;G11C16/30;G11C16/34;G06F3/06 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 任超 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 装置 裸片上 交叉 温度 管理 | ||
1.一种存储器装置,其包括:
存储器阵列;以及
控制逻辑,其以操作方式与所述存储器阵列耦合,以执行包括以下各项的操作:
接收从所述存储器阵列读取数据的请求,所述请求包括其中存储所述数据的所述存储器阵列的段的指示;
确定与所述数据相关联的写入温度是否存储在对应于所述存储器阵列的所述段的标志字节中;
响应于确定与所述数据相关联的所述写入温度存储于所述标志字节中,基于所述写入温度和在接收到读取所述数据的所述请求时的读取温度确定所述数据的交叉温度;
确定与所述存储器阵列的所述段相关联的编程/擦除循环计数;以及
基于所述交叉温度和所述编程/擦除循环计数确定是否执行校正动作以校准待施加于所述存储器阵列以从所述段读取所述数据的读取电压电平。
2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中确定所述数据的所述交叉温度包括确定所述写入温度与所述读取温度之间的差。
3.根据权利要求1所述的存储器装置,其中确定所述编程/擦除循环计数包括以下至少一者:从对应于所述存储器阵列的所述段的所述标志字节读取所述编程/擦除循环计数,或随着从所述存储器阵列读取所述数据的所述请求接收所述编程/擦除循环计数的指示。
4.根据权利要求1所述的存储器装置,其中确定是否执行所述校正动作以校准所述读取电压电平包括:
确定所述交叉温度是否满足交叉温度阈值准则;以及
响应于确定所述交叉温度满足所述交叉温度阈值准则,确定所述编程/擦除循环计数是否满足循环阈值准则。
5.根据权利要求4所述的存储器装置,其中确定是否执行所述校正动作以校准所述读取电压电平另外包括:
响应于确定所述编程/擦除循环计数满足所述循环阈值准则,确定执行所述校正动作以校准所述读取电压电平。
6.根据权利要求5所述的存储器装置,其中所述控制逻辑用以执行另外包括以下各项的操作:
执行所述校正动作以校准所述读取电压电平,其中执行所述校正动作包括以下至少一者:执行读取电压校准命令以修改所述读取电压电平,或执行校正读取命令以使所述数据中的阈值电压分布重叠去耦。
7.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述控制逻辑用以执行另外包括以下各项的操作:
响应于确定与所述数据相关联的所述写入温度未存储于所述标志字节中,确定所述读取温度是否满足读取温度阈值准则;以及
响应于确定所述读取温度满足所述读取温度阈值准则,确定所述编程/擦除循环计数是否满足循环阈值准则。
8.根据权利要求7所述的存储器装置,其中所述控制逻辑用以执行另外包括以下各项的操作:
响应于确定所述编程/擦除循环计数满足所述循环阈值准则或所述编程/擦除循环计数不可用,确定执行所述校正动作以校准所述读取电压电平。
9.一种方法,其包括:
接收从存储器装置的存储器阵列读取数据的请求,所述请求包括其中存储所述数据的所述存储器阵列的段的指示;
确定与所述数据相关联的写入温度是否存储在对应于所述存储器阵列的所述段的标志字节中;
响应于确定与所述数据相关联的所述写入温度存储于所述标志字节中,基于所述写入温度和在接收到读取所述数据的所述请求时的读取温度确定所述数据的交叉温度;
确定与所述存储器阵列的所述段相关联的编程/擦除循环计数;以及
基于所述交叉温度和所述编程/擦除循环计数确定是否执行校正动作以校准待施加于所述存储器阵列以从所述段读取所述数据的读取电压电平。
10.根据权利要求9所述的方法,其中确定所述数据的所述交叉温度包括确定所述写入温度与所述读取温度之间的差。
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