[发明专利]存储器装置的裸片上交叉温度管理在审
申请号: | 202211046231.7 | 申请日: | 2022-08-30 |
公开(公告)号: | CN115731971A | 公开(公告)日: | 2023-03-03 |
发明(设计)人: | K·K·姆奇尔拉;V·莫斯基亚诺;合田晃;J·S·麦克尼尔;辉俊胜;S·帕塔萨拉蒂;J·菲兹帕特里克;P·R·哈亚特 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14;G11C16/12;G11C16/30;G11C16/34;G06F3/06 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 任超 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 装置 裸片上 交叉 温度 管理 | ||
本申请涉及存储器装置的裸片上交叉温度管理。存储器装置中的控制逻辑接收从存储器装置的存储器阵列读取数据的请求,所述请求包括其中存储所述数据的所述存储器阵列的段的指示,且确定与所述数据相关联的写入温度是否存储在对应于所述存储器阵列的所述段的标志字节中。响应于确定与所述数据相关联的所述写入温度存储于所述标志字节中,所述控制逻辑基于所述写入温度和在接收到读取所述数据的所述请求时的读取温度来确定所述数据的交叉温度,确定与所述存储器阵列的所述段相关联的编程/擦除循环计数,且基于所述交叉温度和所述编程/擦除循环计数来确定是否执行校正动作以校准待施加于所述存储器阵列以从所述段读取所述数据的读取电压电平。
技术领域
本公开的实施例大体上涉及存储器子系统,且更具体地说,涉及针对存储器子系统的存储器装置的裸片上交叉温度管理。
背景技术
存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可例如为非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说,主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据以及从存储器装置检索数据。
发明内容
在一个方面,本申请涉及一种存储器装置,其包括:存储器阵列;以及控制逻辑,其以操作方式与所述存储器阵列耦合,以执行包括以下各项的操作:接收从所述存储器阵列读取数据的请求,所述请求包括其中存储所述数据的所述存储器阵列的段的指示;确定与所述数据相关联的写入温度是否存储在对应于所述存储器阵列的所述段的标志字节中;响应于确定与所述数据相关联的所述写入温度存储于所述标志字节中,基于所述写入温度和在接收到读取所述数据的所述请求时的读取温度确定所述数据的交叉温度;确定与所述存储器阵列的所述段相关联的编程/擦除循环计数;以及基于所述交叉温度和所述编程/擦除循环计数确定是否执行校正动作以校准待施加于所述存储器阵列以从所述段读取所述数据的读取电压电平。
在另一方面,本申请涉及一种方法,其包括:接收从存储器装置的存储器阵列读取数据的请求,所述请求包括其中存储所述数据的所述存储器阵列的段的指示;确定与所述数据相关联的写入温度是否存储在对应于所述存储器阵列的所述段的标志字节中;响应于确定与所述数据相关联的所述写入温度存储于所述标志字节中,基于所述写入温度和在接收到读取所述数据的所述请求时的读取温度确定所述数据的交叉温度;确定与所述存储器阵列的所述段相关联的编程/擦除循环计数;以及基于所述交叉温度和所述编程/擦除循环计数确定是否执行校正动作以校准待施加于所述存储器阵列以从所述段读取所述数据的读取电压电平。
在另一方面,本申请涉及一种存储器装置,其包括:存储器阵列;以及控制逻辑,其以操作方式与所述存储器阵列耦合,以执行包括以下各项的操作:接收将数据编程到所述存储器阵列的请求,所述请求包括与其中待存储所述数据的所述存储器阵列的段相关联的编程/擦除循环计数的指示;确定在接收到对所述数据进行编程的所述请求时的写入温度;将所述数据编程到所述存储器阵列的所述段;以及将所述写入温度和所述编程/擦除循环计数编程到对应于所述存储器阵列的所述段的标志字节。
附图说明
根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施例的附图,将更充分地理解本公开。
图1A说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
图1B是根据本公开的一些实施例的与存储器子系统的存储器子系统控制器通信的存储器装置的框图。
图2是根据本公开的一些实施例的可用于参考图1B所描述的类型的存储器中的存储器单元阵列的部分的示意图。
图3是根据本公开的一些实施例的在编程操作期间将交叉温度数据存储在存储器装置上的实例方法的流程图。
图4是根据本公开的一些实施例的用于存储器子系统的存储器装置的裸片上交叉温度管理的实例方法的流程图。
图5是本公开的实施例可在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
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