[发明专利]激光模块、半导体激光器阵列封装组件及半导体激光器在审

专利信息
申请号: 202211086976.6 申请日: 2022-09-06
公开(公告)号: CN115513770A 公开(公告)日: 2022-12-23
发明(设计)人: 蔡万绍;赵森;张路 申请(专利权)人: 深圳活力激光技术有限公司
主分类号: H01S5/0239 分类号: H01S5/0239;H01S5/0233;H01S5/024;H01S5/40;H01S5/00
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 泉雨昕
地址: 518000 广东省深圳市宝安区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 激光 模块 半导体激光器 阵列 封装 组件
【说明书】:

本申请公开了一种激光模块、半导体激光器阵列封装组件及半导体激光器,其中,该激光模块包括:基板;正极导体层和负极导体层,间隔设置于基板上;激光芯片,设置于正极导体层上;金线,金线的一端连接于激光芯片,其另一端连接于负极导体层。通过上述方式,本申请中的激光模块结构简单易装配,易于批量生产测试,也方便于后续对多个激光模块进行高功率阵列封装排列,从而能够批量化生产高功率密度、高可靠性的半导体激光器。

技术领域

本申请涉及半导体激光技术领域,尤其涉及一种激光模块、半导体激光器阵列封装组件及半导体激光器。

背景技术

随着大功率半导体激光器在增材制造、金属焊接、切割等众多领域的广泛应用,市场对大功率半导体激光器的需求也在逐年上升。

然而,目前市场上的大功率半导体激光器普遍存在着成本高、可靠性低、工艺复杂等问题。

发明内容

本申请提供的一种激光模块、半导体激光器阵列封装组件及半导体激光器,以能够解决现有技术中的大功率半导体激光器普遍存在着成本高、可靠性低、工艺复杂的问题。

为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种激光模块,其中,该激光模块包括:基板;正极导体层和负极导体层,间隔设置于基板上;激光芯片,设置于正极导体层上;金线,金线的一端连接于激光芯片,其另一端连接于负极导体层。

其中,激光芯片远离负极导体层的一侧边缘与基板的一侧边缘齐平。

其中正极导体层在第一方向上的长度大于激光芯片在第一方向上的长度,正极导体层在第二方向上的长度大于或等于激光芯片在第二方向上长度的两倍;其中,第一方向垂直激光芯片远离负极导体层的一侧边缘,第二方向垂直所述第一方向。

为解决上述技术问题,本申请采用的又一个技术方案是:提供一种半导体激光器阵列封装组件,其中,该半导体激光器阵列封装组件包括:多个激光模块;热沉,形成有多个阶梯型台阶,每个台阶上设置有至少一个激光模块;其中,激光模块为如上任一项的激光模块。

其中,半导体激光器阵列封装组件还包括正极导入连接件、负极导入连接件以及第一连接金线,正极导入连接件的一端用于连接外部电源的正极,其另一端连接多个激光模块中靠近正极导入连接件的第一激光模块的正极导体层,负极导入连接件的一端用于连接电源的负极,其另一端连接多个激光模块中靠近负极导入连接件的第二激光模块的负极导体层,并通过第一连接金线依次连接每相邻两个激光模块中一个的正极导体层和另一个的负极导体层,以实现正极导入连接件、负极导入连接件以及每一激光模块之间的串联连接。

其中,半导体激光器阵列封装组件还包括第二连接金线和第三连接金线,第二连接金线的一端连接正极导入连接件,其另一端连接第一激光模块的正极导体层,第三连接金线的一端连接负极导入连接件,其另一端连接第二激光模块的负极导体层。

其中,正极导入连接件包括第一正极导入连接件和第二正极导入连接件,第一正极导入连接件和第二正极导入连接件分别连接于第一激光模块位于的台阶的相对两端,并均沿第三方向延伸布置;其中,第三方向为第一激光模块的延伸方向;负极导入连接件包括第一负极导入连接件和第二负极导入连接件,第一负极导入连接件和第二负极导入连接件分别连接于第二激光模块位于的台阶的相对两端,并均沿第三方向延伸布置。

其中,正极导入连接件包括第一连接部和第一延伸部,第一连接部的相对两端分别连接第一激光模块的正极导体层的相对两端,第一延伸部的一端连接第一连接部的其中一端,其另一端绕至热沉背离多个激光模块的一侧,并沿第四方向延伸布置;其中,第四方向垂直第一激光模块的延伸方向;负极导入连接件包括第二连接部和第二延伸部,第二连接部的相对两端分别连接第二激光模块的负极导体层的相对两端,第二延伸部的一端连接第二连接部的其中一端,其另一端沿第四方向延伸布置,以使第二延伸部的另一端与第一延伸部的另一端位于同一直线上。

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