[发明专利]测试芯片失效的方法及装置

说明书

本公开的实施例提供一种测试芯片失效的方法及装置，属于电子电器产品的检测技术领域。所述装置包括：相互耦接的MCU、测试板及万用表。测试板放置待测芯片，将待测芯片的每个管脚经多个开关中的两个开关分别与第一测试端口和第二测试端口耦接，与第一测试端口耦接的开关作为第一开关，与第二测试端口耦接的开关作为第二开关；当MCU依次控制与每一个管脚耦接的第一开关闭合时，同时控制与其他所有管脚耦接的第二开关闭合，以及当依次控制与每一个管脚耦接的第一开关闭合时，同时控制与接地管脚耦接的第二开关闭合；万用表获取待测芯片中的管脚之间的电气参数；MCU根据电气参数与标准参数的比较，确定待测芯片中的管脚之间的漏电类型。

技术领域

本公开的实施例涉及电子电器产品的检测技术领域，具体地涉及一种测试芯片失效的方法及装置。

背景技术

在目前测试芯片是否异常的技术中，一种方式是直接采用万用表测量芯片的管脚对地电阻或反向二极管来判断，另一种方式是在专业实验室里利用IV曲线测试仪来测试。但是，第一种方式测量结果不准确，无法发现高压漏电或芯片I/O管脚之间的漏电，而第二种方式需要专业的器材，价格昂贵，无法推广配置。

发明内容

本公开的实施例的目的是提供一种测试芯片失效的方法及装置，利用万用表测量芯片管脚的关键电气特性，可及时发现管脚之间的漏电情况，提高了测量的准确性，同时降低测量成本。

为了实现上述目的，本公开实施例的第一方面提供一种测试芯片失效的装置，包括：相互耦接的微处理器MCU、测试板以及万用表。其中，所述测试板上设置有多个开关、第一测试端口以及第二测试端口，所述测试板被配置为放置待测芯片，并将所述待测芯片的每个管脚经所述多个开关中的两个开关分别与所述第一测试端口和所述第二测试端口耦接，其中，将与所述第一测试端口耦接的开关作为第一开关，与所述第二测试端口耦接的开关作为第二开关；所述MCU耦接所述测试板上与所述待测芯片的每个管脚耦接的开关，所述MCU被配置为当依次控制与所述待测芯片中的每一个管脚耦接的所述第一开关闭合时，同时控制与其他所有管脚耦接的所述第二开关闭合，以及当依次控制与所述待测芯片中的每一个管脚耦接的所述第一开关闭合时，同时控制与接地管脚耦接的所述第二开关闭合；所述万用表的两个表笔分别耦接所述测试板上的所述第一测试端口与所述第二测试端口，所述万用表被配置为获取所述待测芯片中的管脚之间的电气参数；所述MCU还被配置为根据所述电气参数与标准参数的比较，确定所述待测芯片中的管脚之间的漏电类型。

在本公开的一些实施例中，所述漏电类型包括阻性漏电、高压漏电以及反向高压漏电。

在本公开的一些实施例中，当所述万用表还被配置为将测试档位设置为电阻档位时，所述MCU被配置为根据所述电气参数与标准参数的比较，确定所述待测芯片中的管脚之间是否存在阻性漏电。

在本公开的一些实施例中，当所述万用表还被配置为将测试档位设置为二极管档位时，所述MCU被配置为根据所述电气参数与标准参数的比较，确定所述待测芯片中的管脚之间是否存在高压漏电或者反向高压漏电。

在本公开的一些实施例中，所述测试板还被配置为放置标准芯片，将所述标准芯片的每个管脚分别经所述多个开关中的第一开关耦接所述第一测试端口，经第二开关耦接所述第二测试端口；所述MCU还被配置为当依次控制与所述标准芯片中的每一个管脚耦接的所述第一开关闭合时，同时控制与其他所有管脚耦接的所述第二开关闭合，以及当依次控制与所述标准芯片中的每一个管脚耦接的所述第一开关闭合时，同时控制与接地管脚耦接的第二开关闭合；所述万用表还被配置为获取所述标准芯片中的管脚之间的电气参数；所述MCU还被配置为将所述标准芯片中的管脚之间的电气参数对应作为所述待测芯片中的管脚之间的标准参数。

本公开实施例的第二方面提供一种测试芯片失效的方法，包括：利用万用表依次测试待测芯片的每一个管脚与其他所有管脚之间的电气参数，以及所述待测芯片的每一个管脚与接地管脚之间的电气参数；根据所述电气参数与标准参数的比较，确定所述待测芯片中的管脚之间的漏电类型。