[发明专利]输入电力控制和保护在审
申请号: | 202211106164.3 | 申请日: | 2022-09-09 |
公开(公告)号: | CN115333051A | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 丁耀;阿伦·贾亚德夫·拉奥 | 申请(专利权)人: | 谷歌有限责任公司 |
主分类号: | H02H7/20 | 分类号: | H02H7/20;H02H3/20 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 周亚荣;邓聪惠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输入 电力 控制 保护 | ||
1.一种用于电子设备的电压保护电路,包括:
耦合到第一晶体管的控制线;
输入电力线;
电力中断晶体管,所述电力中断晶体管被耦合到所述输入电力线并且被电耦合到所述第一晶体管;
其中,通过所述控制线在所述第一晶体管处的方波信号的接收导致所述电力中断晶体管关断,从而中断所述输入电力线上的电力的流动。
2.根据权利要求1所述的电压保护电路,进一步包括:
跨所述第一晶体管的结合点耦合的电容器,其中,在所述第一晶体管处的所述方波信号的接收导致所述电容器排尽。
3.根据权利要求2所述的电压保护电路,进一步包括第二晶体管,所述第二晶体管被耦合在所述电容器与所述电力中断晶体管之间,其中,所述第二晶体管在所述电容器被排尽时接通。
4.根据权利要求3所述的电压保护电路,其中,在所述第二晶体管接通时,所述电力中断晶体管关断。
5.根据权利要求3所述的电压保护电路,进一步包括被耦合在所述输入电力线和所述第二晶体管之间的电阻器,所述电阻器具有基于所述电子设备的电压容许限度的欧姆值,其中,超过阈值的电压的接收触发所述第二晶体管的激活。
6.根据权利要求1所述的电压保护电路,其中,所述控制线被耦合到控制单元,以及所述方波信号是响应于检测到错误而从所述控制单元接收的。
7.根据权利要求1所述的电压保护电路,其中,所述第一晶体管是MOSFET。
8.一种电子设备,包括:
输入端口;
电子组件;以及
电压保护电路,所述电压保护电路在所述输入端口与所述电子组件之间,所述电压保护电路包括:
耦合到第一晶体管的控制线;
输入电力线;
电力中断晶体管,所述电力中断晶体管跨所述输入电力线耦合并且被电耦合到所述第一晶体管;
其中,通过所述控制线在所述第一晶体管处的方波信号的接收导致所述电力中断晶体管关断,从而中断所述输入电力线上的电力的流动。
9.根据权利要求8所述的电子设备,其中,所述电压保护电路进一步包括跨所述第一晶体管的结合点的电容器,其中,在所述第一晶体管处的所述方波信号的接收导致所述电容器排尽。
10.根据权利要求9所述的电子设备,其中,所述电压保护电路进一步包括被耦合在所述电容器和所述电力中断晶体管之间的第二晶体管,其中,在所述电容器被排尽时,所述第二晶体管接通。
11.根据权利要求10所述的电子设备,其中,在所述第二晶体管接通时,所述电力中断晶体管关断。
12.根据权利要求10所述的电子设备,其中,所述电压保护电路进一步包括被耦合在所述输入电力线和所述第二晶体管之间的电阻器,所述电阻器具有基于所述电子设备的电压容许限度的欧姆值,其中,超过阈值的电压的接收触发所述第二晶体管的激活。
13.根据权利要求8所述的电子设备,其中,所述控制线被耦合到控制单元,以及所述方波信号是响应于检测到错误而从所述控制单元接收的。
14.根据权利要求8所述的电子设备,其中,所述电子设备是可穿戴电子设备。
15.一种操作电子设备的方法,包括:
在所述电子设备的电力线处接收电压,所述电力线被耦合在所述电子设备的输入部和电路之间;
在控制单元处检测何时存在错误状况;
响应于检测到所述错误状况,通过控制线向第一晶体管传输方波信号,所述方波信号导致电力中断晶体管关断,所述电力中断晶体管阻止所述电子设备的所述电路对所述电压的接收。
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