[发明专利]多块NVME SSD高低温测试方法及系统在审
申请号: | 202211112050.X | 申请日: | 2022-09-13 |
公开(公告)号: | CN115794501A | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 罗恒毅;弗兰克·陈;李炎林;马小平;熊小明 | 申请(专利权)人: | 至誉科技(武汉)有限公司 |
主分类号: | G06F11/22 | 分类号: | G06F11/22;G11C29/56 |
代理公司: | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人: | 敖俊 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | nvme ssd 低温 测试 方法 系统 | ||
1.一种多块NVME SSD高低温测试方法,其特征在于,
应用于多块NVME SSD高低温测试装置中,所述多块NVME SSD高低温测试装置包括:
上位机,采用Windows系统,用于控制Chamber进行高低温的变化,下发测试脚本,获取NVME SSD测试项目,分类上传结果到QMS系统;
下位机,采用Linux系统,所述下位机的PCIE插槽上链接PCIE Switch及PCIE Switch治具,所述PCIE Switch治具的插槽用于插接NVME SSD进行测试;
其中,所述上位机与所述下位机通信连接,用于发送测试脚本到下位机;
所述多块NVME SSD高低温测试方法包括以下步骤:
通过上位机获取NVME SSD测试项目;
控制执行NVME SSD和系统链路连接测试操作,获取连接测试结果;
当NVME SSD和系统链路连接测试通过后,控制通过下位机治具的插槽插接NVME SSD并执行NVME SSD测试项目,获取NVME SSD测试结果,并进行成功和失败测试结果分类,显示失败原因。
2.如权利要求1所述的多块NVME SSD高低温测试方法,其特征在于,所述通过上位机获取NVME SSD测试项目的步骤,具体包括以下步骤:
获取测试项目,所述测试项目包括BIT测试、FDS测试、PCT测试和BITPCT测试。
3.如权利要求2所述的多块NVME SSD高低温测试方法,其特征在于,所述获取测试项目,所述测试项目包括BIT测试、FDS测试、PCT测试和BITPCT测试的步骤,具体包括以下步骤:
控制上位机程序启动,读取上位机测试项配置信息;
比对上位机测试项配置信息和预设测试项配置结果,获取比对结果;
当比对结果为上位机测试项配置信息和预设测试项配置结果匹配时,判定测试项配置信息准备好,当测试项配置信息准备好时,控制上位机获取测试项目,所述测试项目包括BIT测试、FDS测试、PCT测试和BITPCT测试。
4.如权利要求1所述的多块NVME SSD高低温测试方法,其特征在于,所述控制执行NVMESSD和系统链路连接测试操作,获取连接测试结果的步骤,具体包括以下步骤:
控制获取NVME SSD对应于下位机上的串口并进行初始化;
控制获取NVME SSD对应于下位机上的串口执行掉电上电测试操作。
5.如权利要求4所述的多块NVME SSD高低温测试方法,其特征在于,所述控制获取NVMESSD对应于下位机上的串口执行掉电上电测试操作的步骤,具体包括以下步骤:
控制获取NVME SSD对应于下位机上的串口初始化对应治具上串口的版本信息;
枚举PCIE Switch治具的插槽上的NVME SSD;
控制依次对多个NVME SSD进行移除掉电并等待第一预设时间操作;
控制依次对多个NVME SSD进行上电并等待第二预设时间操作。
6.如权利要求1所述的多块NVME SSD高低温测试方法,其特征在于,所述所述控制执行NVME SSD和系统链路连接测试操作,获取连接测试结果的步骤之后,还包括以下步骤:
控制从PCIE Switch治具的插槽上依次移除NVME SSD,并对PCIE Switch治具的插槽进行扫描。
7.如权利要求1所述的多块NVME SSD高低温测试方法,其特征在于,所述当NVME SSD和系统链路连接测试通过后,控制通过下位机治具的插槽插接NVME SSD并执行NVME SSD测试项目,获取NVME SSD测试结果,并进行成功和失败测试结果分类,显示失败原因的步骤之后,还包括以下步骤:
控制发送NVME SSD测试结果到上位机及QMS系统。
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