[发明专利]用激光在掩膜上开口经化学镀制造导电图案的方法、软件及设备

权利要求书

1.用激光在掩膜上开口经化学镀制造导电图案的方法，其特征在于：将掩蔽膜覆合在工件表面上，用激光去除掩蔽膜材料得到开口，化学镀处理工件至解胶，去除掩蔽膜，进行后续的化学镀流程；其具体步骤为：

(A1)覆合掩蔽膜，即将膜材料压合或将液体掩蔽材料涂覆在工件表面上；

(A2)钻孔，用机械方法或激光加工钻覆有掩蔽膜的工件，形成通透的孔或盲孔；

(A3)直接激光开口，即用在CAM软件中生成的开口加工路径驱动设备，通过激光切割、去除的手段，制造开口；

(A4)活化，按化学镀流程处理工件至完成解胶；

(A5)去掩蔽膜，揭掉或溶掉工件表面的掩蔽膜；

(A6)化学镀，进行后续的化学镀流程。

2.根据权利要求1所述的用激光在掩膜上开口经化学镀制造导电图案的方法，其特征在于：所述步骤(A1)中，掩蔽膜包括金属箔、高分子薄膜等已经成膜的材料，以及液态、膏状的可成膜材料；工件为无机绝缘材料、有机绝缘材料、有机和无机复合绝缘材料膜、板，以及三维形状体，包括热塑成型和3D打印成型的形状体。

3.根据权利要求1所述的用激光在掩膜上开口经化学镀制造导电图案的方法，其特征在于：所述步骤(A1)中，已经成膜的箔、膜材料分工作面和粘接面，工作面表面光滑，粘接面涂覆有可剥离胶粘剂，包括压敏胶粘剂；箔、膜材料贴合在另一种离型膜材料表面；在进行步骤(A1)前，先将作为掩蔽膜的箔、膜材料与离型材料分离开；在进行步骤(A1)中，用箔、膜材料的粘接面与工件贴合，完成覆合。

4.根据权利要求1所述的用激光在掩膜上开口经化学镀制造导电图案的方法，其特征在于：所述步骤(A1)中，液态、膏状可成膜材料包括墨、漆等涂料，采用疏水性的涂料；包括直接用喷涂、刷涂方法在工件表面涂覆涂料，包括涂覆后进行光、热等干燥和固化过程。

5.根据权利要求1所述的用激光在掩膜上开口经化学镀制造导电图案的方法，其特征在于：所述步骤(A2)中，包括不进行步骤(A2)，完成步骤(A1)后，直接进行步骤(A3)。

6.根据权利要求1所述的用激光在掩膜上开口经化学镀制造导电图案的方法，其特征在于：所述步骤(A3)中，包括用激光束只沿开口的轮廓线切割透箔、膜材料直至工件表面，再成块剥离去掉开口内的孤立的箔、膜材料，形成以工件材料表面为底面的开口；包括用激光束沿开口的轮廓线、开口内分小块用的切割线切割透箔、膜材料直至工件表面，再成小块剥离去掉开口内的孤立的箔、膜材料块，形成以工件材料表面为底面的开口；包括用激光束逐线，逐层汽化去除开口区域内所有的箔、膜材料，直至工件表面，形成以工件材料表面为底面的开口；包括用激光束逐线，逐层汽化去除开口区域内所有的箔、膜材料，并在开口区域用激光束逐线，逐层汽化去除工件材料，形成包括嵌入工件材料一定深度的凹槽的开口。

7.根据权利要求1所述的用激光在掩膜上开口经化学镀制造导电图案的方法，其特征在于：所述步骤(A3)中，包括用粘接辊滚压，将孤立的小块粘到辊上，揭除掉开口内被切割成孤立块、孤立小块的箔、膜材料。

8.根据权利要求1所述的用激光在掩膜上开口经化学镀制造导电图案的方法，其特征在于：所述步骤(A3)、(A4)及(A5)中，包括完成步骤(3)后，进行步骤(4)，但步骤(4)的操作改为，按化学镀流程处理工件至完成胶体钯活化处理，然后从解胶工序开始进行步骤(5)。

9.根据权利要求3及4所述的用激光在掩膜上开口经化学镀制造导电图案的方法，其特征在于：去除掩蔽膜，包括用激光先把掩蔽膜分割成小块后，在揭掉或用粘接辊粘掉工件表面的掩蔽膜；包括将掩蔽膜保留再工件上，直接进行步骤(A6)；步骤(A6)包括化学镀铜、镀镍、镀金的金属镀层。