[发明专利]一种基于PN异质结的日盲紫外光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 202211130171.7 | 申请日: | 2022-09-15 |
公开(公告)号: | CN115312618A | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 潘江涌;黄昱凌;汪丽茜;毛磊 | 申请(专利权)人: | 南京信息工程大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/18;H01L31/032 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 孙永生 |
地址: | 224002 江苏省盐城*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 pn 异质结 紫外 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于PN异质结的日盲紫外光电探测器,其特征在于:包括基底、P型传输层和阴极,所述基底与所述P型传输层之间设有阳极,所述P型传输层与所述阴极之间设有铜基卤化物。
2.根据权利要求1所述的一种基于PN异质结的日盲紫外光电探测器,其特征在于:所述阴极和所述阳极形成异面的交叉网格结构。
3.根据权利要求1所述的一种基于PN异质结的日盲紫外光电探测器,其特征在于:阳极和阴极的厚度分别为50~200 nm;P型传输层的厚度厚10~100 nm;铜基卤化物的厚度为50~400 nm。
4.根据权利要求1所述的一种基于PN异质结的日盲紫外光电探测器,其特征在于:所述铜基卤化物包括Cs3Cu2I5或Cs1Cu2I3。
5.根据权利要求1所述的一种基于PN异质结的日盲紫外光电探测器,其特征在于:所述P型传输层包括NiO、CuO或WO3。
6.根据权利要求2所述的一种基于PN异质结的日盲紫外光电探测器,其特征在于:阴极和阳极的制备材料分别包括纯度为99.9999 %的金、银或铝;基底的制备材料为玻璃。
7.一种根据权利要求1-6任意一项所述的基于PN异质结的日盲紫外光电探测器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
对基底进行清洗和干燥;
对干燥后的基底进行紫外臭氧处理;
利用热蒸镀法制备阳极;
在阳极上旋涂P型传输层;
在P型传输层上旋涂铜基卤化物前驱体溶液和反溶剂,进行退火,制得铜基卤化物薄膜;
利用热蒸镀法制备阴极,制得基于PN异质结的日盲紫外光电探测器。
8.根据权利要求7所述的一种基于PN异质结的日盲紫外光电探测器的制备方法,其特征在于,清洗包括:依次将基底放入清洁剂、去离子水、丙酮和异丙醇溶液中进行超声波清洗。
9.根据权利要求7所述的一种基于PN异质结的日盲紫外光电探测器的制备方法,其特征在于:反溶剂包括甲苯、乙酸乙酯或乙酸甲酯。
10.根据权利要求9所述的一种基于PN异质结的日盲紫外光电探测器的制备方法,其特征在于,铜基卤化物前驱体溶液的制备包括:
将CsI和CuI溶于DMF和DMSO的混合溶液中,进行搅拌,制得浓度为0.1~1 mol/L的溶液。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京信息工程大学,未经南京信息工程大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211130171.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型摆臂结构的摇摆椅
- 下一篇:一种小型冷库控制器及控制方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的