[发明专利]图像和深度像素

说明书

传感器包括由被掺杂有第一导电类型的衬底支撑的像素。每个像素包括衬底的由具有图像感测组装件和深度感测组装件的垂直绝缘结构界定的部分。图像感测组装件包括衬底的第一区域和完全横向包围第一区域的第一垂直传输门，该第一区域被更重地掺杂有第一导电类型。深度感测组装件中的每个深度感测组装件包括衬底的第二区域和第二垂直传输门，该第二区域被更重地掺杂有第一导电类型，该第二垂直传输门与第一垂直传输门的对应部分相对。第二区域被布置在第二垂直传输门与第一垂直传输门的相应部分之间。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年9月17日提交的法国专利申请No.2109786的优先权权益，其内容在法律允许的最大程度上通过引用被整体并入本文中。

技术领域

本公开总体上涉及像素，并且具体地，涉及图像传感器的像素和深度图传感器的像素。

背景技术

图像传感器能够获取场景的图像，例如彩色或黑白图像，这些图像通常是二维的。

深度图传感器能够获取场景的对象之间的深度的映射，或者换言之，获取传感器与场景的对象之间的距离的映射。

存在能够获取场景的图像和该场景的深度图的传感器。这种传感器被称为图像和深度传感器。这种传感器包括被特别配置为能够获取图像的像素(被称为图像像素)、以及被配置为能够获取深度图的像素(被称为深度像素)，图像像素在结构上不同于深度像素。

然而，例如，当这些像素的光转换区域全部在同一半导体衬底中实现时，图像像素与深度像素的联合集成引起各种问题。

需要解决已知图像和深度传感器的至少一些缺点。

例如，期望具有一种图像和深度传感器，其中所有像素都是相同的。

例如，期望具有一种图像和深度传感器，其中所有像素都是相同的，并且能够根据它们被控制的方式获取场景的彩色或黑白图像、或者场景的深度图。

发明内容

实施例克服了已知图像和深度传感器的全部或部分缺点。

一个实施例提供了一种传感器，该传感器包括像素阵列和第一导电类型的掺杂半导体衬底，每个像素包括：衬底的由垂直绝缘结构横向界定的部分；与衬底相比被更重地掺杂的第一导电类型的第一区域；包围第一区域的第一垂直传输门；以及至少两个组装件。每个组装件包括：与衬底相比被更重地掺杂的第一导电类型的第二区域、以及被布置为与第一传输门的对应部分相对的第二垂直传输门，所述第二区域被布置在所述第二传输门与第一传输门的所述对应部分之间。

根据一个实施例，在每个像素中：垂直绝缘结构从衬底的第一表面穿透到衬底中，优选地跨衬底的整个厚度；第一区域和每个第二区域在所述第一表面的一侧被布置在衬底中；以及第一传输门和每个第二传输门从所述第一表面穿透到衬底中。

根据一个实施例，在每个像素中，每个第二传输门与第一传输门相比更深地穿透到衬底中。

根据一个实施例，相邻像素至少部分地共享它们的垂直绝缘结构。

根据一个实施例，在每个像素中，每个第二传输门形成所述像素的垂直绝缘结构的部分。

根据一个实施例，在每个像素中，与邻近所述像素的像素共享每个第二传输门。

根据一个实施例，在每个像素中，每个第二传输门被布置在所述像素的第一传输门的所述对应部分与垂直绝缘结构的部分之间。

根据一个实施例，在第二传输门的和第二区域的每个组装件中，第二区域与所述第二传输门接触。

根据一个实施例，每个像素包括被耦合到第一区域的第一读出电路，并且针对每个第二区域，包括被耦合到所述第二区域的第二读出电路。