[发明专利]直接调变激光器及光学次模组在审
| 申请号： | 202211142179.5 | 申请日： | 2022-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN115967013A | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 徐大鹏;张焕林 | 申请（专利权）人： | 美商祥茂光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/12 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李旭;姚鹏 |
| 地址： | 美国德克萨斯州舒*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 直接 激光器 光学 模组 | ||
1.一种直接调变激光器，其特征在于，包含：
一基板；
一或多个层，设置于该基板上以提供一多重量子井；
一第一介电结构和一第二介电结构，设置于该基板上，其中该第一介电结构和该第二介电结构分别设置于该多重量子井的相对两侧；以及
一或多个层，设置于该多重量子井上以提供一凸台结构；
其中该凸台结构设置于该第一介电结构和该第二介电结构之间。
2.如权利要求1所述的直接调变激光器，其特征在于，该凸台结构的总体宽度在1.2微米至2.5微米的范围内。
3.如权利要求1所述的直接调变激光器，其特征在于，该凸台结构的总体宽度大于该多重量子井的总体宽度。
4.如权利要求3所述的直接调变激光器，其特征在于，该凸台结构的总体宽度为1.8±0.5微米。
5.如权利要求1所述的直接调变激光器，其特征在于，该基板包含磷化铟。
6.如权利要求1所述的直接调变激光器，其特征在于，该基板包含砷化镓、锑化镓或砷化铟。
7.如权利要求1所述的直接调变激光器，其特征在于，形成该多重量子井的该一或多个层为III-V族半导体材料。
8.如权利要求1所述的直接调变激光器，其特征在于，该第一介电结构和该第二介电结构各自包含具有一第一总体宽度的一基座以及自该基座延伸的一垂直截面，该垂直截面具有一第二总体宽度，且该基座的该第一总体宽度大于该垂直截面的该第二总体宽度。
9.如权利要求8所述的直接调变激光器，其特征在于，该第一介电结构和该第二介电结构各自的该垂直截面自各自的该基座延伸至总体高度在1.6微米至2.5微米的范围内。
10.如权利要求1所述的直接调变激光器，其特征在于，该多重量子井的总体宽度在0.7微米至1.5微米的范围内。
11.如权利要求1所述的直接调变激光器，其特征在于，该多重量子井的总体长度小于300微米。
12.如权利要求1所述的直接调变激光器，其特征在于，该凸台结构具有相对于该基板的(001)平面以一预定角度延伸的多个晶面。
13.如权利要求12所述的直接调变激光器，其特征在于，该预定角度在80度至95度的范围内。
14.一种光学次模组，其特征在于，包含：
用于发射默认频道波长的至少一直接调变激光器，包含：
一基板；
一多重量子井，形成于该基板上；
一凸台结构，设置于该多重量子井上以接收驱动电流；以及
一第一介电结构和一第二介电结构，分别设置于该凸台结构的相对两侧以提供介电电流局限脊形波导结构；
其中，该凸台结构的宽度大于该多重量子井的总体宽度。
15.如权利要求14所述的光学次模组，其特征在于，该凸台结构的总体宽度为1.8±0.5微米。
16.如权利要求14所述的光学次模组，其特征在于，该多重量子井由一或多个III-V族半导体材料层形成。
17.如权利要求14所述的光学次模组，其特征在于，该第一介电结构和该第二介电结构各自包含具有一第一总体宽度的一基座以及自该基座延伸的一垂直截面，该垂直截面具有一第二总体宽度，且该基座的该第一总体宽度大于该垂直截面的该第二总体宽度。
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