[发明专利]磁传感器

说明书

本发明的磁传感器具备：具有上表面的基板、具有倾斜面的绝缘层、以及配置在倾斜面之上的磁检测元件。磁检测元件具有第一侧面和第二侧面。第一侧面位于沿着倾斜面的一个方向即第一方向的前方。第二侧面位于沿着倾斜面的另一个方向即第二方向的前方。磁检测元件包含：第一变化部分，其中，沿着磁检测元件的长边方向，第一侧面的上端和第二侧面的上端的间隔变小。

技术领域

本发明涉及具备配置在倾斜面之上的磁检测元件的磁传感器。

背景技术

近年来，以各种用途利用使用了磁阻效应元件的磁传感器。在包含磁传感器的系统中，有时想要通过设置于基板上的磁阻效应元件检测包含与基板的面垂直的方向的分量的磁场。在该情况下，通过设置将与基板的面垂直的方向的磁场转换成与基板的面平行的方向的磁场的软磁性体，或在形成于基板上的倾斜面上配置磁阻效应元件，能够检测包含与基板的面垂直的方向的分量的磁场。

作为磁阻效应元件，例如使用自旋阀型的磁阻效应元件。自旋阀型的磁阻效应元件具有：磁化固定层，其具有方向被固定的磁化；自由层，其具有方向可根据施加磁场的方向而变化的磁化；以及间隙层，其配置于磁化固定层和自由层之间。另外，关于自由层，已知有使用线圈来设置/重置自由层的磁化的方向的技术。

在日本专利申请公开2006-194733号公报中公开有一种具备形成在斜面之上的磁阻效应元件的磁传感器。在日本国公表专利公报第2001-516031号中公开了使用线圈来设置/重置磁阻元件的磁畴(magnetic domain)的技术。

在如日本国专利申请公开2006-194733号公报中公开的磁传感器那样，在倾斜面上形成磁阻效应元件的情况，且使用日本公表专利公报第2001-516031号中公开的技术将自由层的磁化的方向设置为规定方向的情况下，需要根据磁阻效应元件的形状，以某种程度增大用于将自由层的磁化的方向设置为规定方向的磁场的强度。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种磁传感器，在具备配置在倾斜面之上的磁检测元件的磁传感器中，能够减小用于设置/重置磁检测元件的磁化的磁场的强度。

本发明的磁传感器具备：基板，其具有基准平面；支承构件，其配置在基板之上，具有相对于基准平面倾斜的倾斜面；以及磁检测元件，其配置在倾斜面之上，且具有在一个方向上长的形状。磁检测元件具有：第一侧面及第二侧面，它们位于磁检测元件的短边方向的两侧，且分别具有位于远离基准平面的方向端的上端。第一侧面位于沿着倾斜面的方向且远离基准平面的第一方向的前方。第二侧面位于沿着倾斜面的方向且靠近基准平面的第二方向的前方。磁检测元件包含：第一变化部分，其中，第一侧面的上端和第二侧面的上端各自的至少一部分成为直线状，且沿着磁检测元件的长边方向，第一侧面的上端和第二侧面的上端的间隔变小。

在本发明的磁传感器中，磁检测元件包含第一变化部分。由此，根据本发明，在具备配置在倾斜面之上的磁检测元件的磁传感器中，能够减小用于设置/重置磁检测元件的磁化的磁场的强度。

本发明的其它目的、特征及好处将通过以下的说明变得充分清晰。

附图说明

图1是示出本发明的第一实施方式的磁传感器的立体图。

图2是示出包含本发明的第一实施方式的磁传感器的磁传感器装置的结构的功能框图。

图3是示出本发明的第一实施方式的第一检测电路的电路结构的电路图。

图4是示出本发明的第一实施方式的第二检测电路的电路结构的电路图。

图5是示出本发明的第一实施方式的磁传感器的一部分的俯视图。

图6是示出本发明的第一实施方式的磁传感器的一部分的截面图。

图7是示出本发明的第一实施方式的磁阻效应元件的侧视图。