[发明专利]管理闪存模块的方法及相关的闪存控制器与电子装置在审
申请号: | 202211155661.2 | 申请日: | 2019-02-20 |
公开(公告)号: | CN115658556A | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
发明(设计)人: | 杜建东;萧佳容;蔡璧如 | 申请(专利权)人: | 慧荣科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀锋 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 管理 闪存 模块 方法 相关 控制器 电子 装置 | ||
本发明公开了一种闪存控制器,其中该闪存控制器是用来存取一闪存模块,且该闪存控制器包括有一只读存储器、一微处理器以及一时间管理电路。该只读存储器是用来存储一程序代码,该微处理器用来执行该程序代码以控制对该闪存模块的存取,且该时间管理电路用以产生目前的一时间信息。在该闪存控制器的操作中,当该微处理器将数据写入至一特定区块的最后多个数据页时,该微处理器将该时间管理电路所产生的该时间信息写入至该最后多个数据页中的其中一者。本发明通过记录每一个区块的时间信息,可在后续快速且有效率地判断数据保存时间是否过长而可能导致数据质量问题,并据以提前进行适当的后续操作以避免数据遗失的问题。
本申请是申请日为2019年02月20日、申请号为201910125843.7、发明创造名称为“管理闪存模块的方法及相关的闪存控制器与电子装置”的中国发明申请的分案申请。
技术领域
本发明是有关于闪存控制器的改善。
背景技术
随着闪存技术的演进,闪存芯片中的记忆单元由平面排列的方式改变为多层堆栈的模式,以使得单一芯片可以包括更多的记忆单元,以提升闪存芯片的容量。然而,上述立体闪存(3D flash memory)会遭遇到数据保存(data retention)上的问题,也就是说,当数据写入到闪存芯片后不久,其数据质量便会大幅下滑,而可能使得数据无法被正确地读取。因此,如何提出一种有效率的管理方法来避免数据保存上的问题是一个重要的技术方向。
发明内容
因此,本发明提出了一种管理闪存的方法,其可以有效率且快速地寻找出即将发生数据保存问题的区块来做适切的处理,以解决现有技术中的问题。
在本发明的一个实施例中,公开了一种闪存控制器,其中该闪存控制器是用来存取一闪存模块,该闪存模块包括了多个闪存芯片,每一个闪存芯片包括了多个区块,每一个区块包括多个数据页,且该闪存控制器包括有一只读存储器、一微处理器以及一时间管理电路。该只读存储器是用来存储一程序代码,该微处理器用来执行该程序代码以控制对该闪存模块的存取,且该时间管理电路用以产生目前的一时间信息。在该闪存控制器的操作中,当该微处理器将数据写入至一特定区块的最后多个数据页时,该微处理器将该时间管理电路所产生的该时间信息写入至该最后多个数据页中的其中一者。
在本发明的另一个实施例中,公开了一种管理一闪存模块的方法,其中该闪存模块包括了多个闪存芯片,每一个闪存芯片包括了多个区块,每一个区块包括多个数据页,且该方法包括有以下步骤:产生目前的一时间信息;以及当数据被写入至该闪存模块的一特定区块的最后多个数据页时,将该时间管理电路所产生的该时间信息写入至该最后多个数据页中的其中一者。
在本发明的另一个实施例中,公开了一种电子装置,包括有一闪存模块以及一闪存控制器。该闪存模块包括了多个闪存芯片,每一个闪存芯片包括了多个区块,每一个区块包括多个数据页;以及该闪存控制器是用以存取该闪存模块,其中该闪存控制器产生目前的一时间信息;以及当该闪存控制器将数据写入至该闪存模块的一特定区块的最后多个数据页时,该闪存控制器将该时间管理电路所产生的该时间信息写入至该最后多个数据页中的其中一者。
附图说明
图1为依据本发明一第一实施例的一种记忆装置的示意图。
图2为依据本发明一实施例的闪存模块中一区块的示意图
图3为区块与数据页的示意图。
图4为根据本发明一实施例的时间信息对照表的示意图。
图5为依据本发明一第二实施例的一种记忆装置的示意图。
图6为依据本发明一第三实施例的一种记忆装置的示意图。
图7为闪存控制器断电与上电的时序图。
图8为根据本发明一实施例的一种管理一闪存模块的方法的流程图。
其中,附图标记说明如下:
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