[发明专利]一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法

权利要求书

1.一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，选择两个尺寸和材质完全相同的晶片Ⅰ和晶片Ⅱ；

步骤2，用非接触测厚仪分别测量晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的厚度，测量点为晶片的中心点和边缘三点，所述晶片Ⅰ的测量点标记为T1_0-1、T1_1-1、T1_2-1、T1_3-1，所述晶片Ⅱ的测量点标记为T2_0-1、T2_1-1、T2_2-1、T2_3-1；

步骤3，先将晶片I放置到一个预热的陶瓷载盘上；待晶片I的温度达到预热温度，在晶片I的面上均匀的涂上粘贴剂，将晶片II水平放置到涂有粘贴剂的晶片I的面上，采用气囊加压的方式将晶片I和晶片II完全贴合；在加压的条件下，将陶瓷载盘冷却至25℃～45℃；

步骤4，将步骤3中贴合好的晶片进行滚圆处理，使晶片Ⅰ和晶片Ⅱ成为一个同心圆；

步骤5，将厚度为400μm～1000μm的游星轮均匀摆放到双面研磨机的下盘上，开启研磨机对游星轮进行修整；

步骤6，将步骤4中滚圆处理后的晶片放置到步骤5中修整后的游星轮中，晶片Ⅰ在上方、晶片Ⅱ在下方，开启双面研磨机对晶片I的上表面和晶片II的下表面同时进行研磨，研磨时间设置为0.5h～2h，研磨结束后，对上述研磨后的晶片进行清洗以去除晶片表面的磨料；

步骤7，将步骤6中清洗后的晶片干燥后，置于加热台上，加热台的温度应控制在50℃～250℃，将晶片Ⅰ和晶片Ⅱ分离；

步骤8，对分离后的晶片Ⅰ和晶片Ⅱ进行清洗，去除晶片Ⅰ和晶片Ⅱ上的粘贴剂；

步骤9，将步骤8中清洗后的晶片Ⅰ和晶片Ⅱ干燥后，用非接触测厚仪测量晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的厚度，测量点为晶片的中心点、边缘三点，测量点与粘贴前的测量点保持一致，晶片Ⅰ的测量点标记为T1_0-2、T1_1-2、T1_2-2、T1_3-2，晶片Ⅱ的测量点标记为T2_0-2、T2_1-2、T2_2-2、T2_3-2；

步骤10，通过差减法计算晶片I研磨前后的厚度变化量，即通过计算T1_0-1-T1_0-2 、T1_1-1-T1_1-2 、T1_2-1- T1_2-2、T1_3-1- T1_3-2得出双面研磨过程中晶片上表面中心点和上表面边缘三点的去除量；通过差减法计算晶片II研磨前后的厚度变化量，即通过计算T2_0-1-T2_0-2 、T2_1-1-T2_1-2 、T2_2-1- T2_2-2、T2_3-1- T2_3-2得出双面研磨过程中晶片下表面中心点和下表面边缘三点的去除量；

步骤3中所述的粘贴剂为EVA膜或环氧树脂；

步骤3中所述的陶瓷载盘的平面度为1μm～3μm，陶瓷载盘的预热温度为50℃～150℃；

步骤3中所述晶片I和晶片II粘接到一起的方法为：晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的A面和A面粘贴，或B面和B面粘贴，或晶片Ⅰ的A面与晶片Ⅱ的B面粘贴或晶片Ⅰ的B面与晶片Ⅱ的A面粘贴；

步骤5中所述游星轮的厚度确定方法为，游星轮的厚度=晶片厚度-（100μm～300μm）；

步骤6中所述研磨结束后晶片清洗方法为，将晶片从游星轮中取出并放置到清洗花篮中，将花篮置于超声波清洗机中清洗；

步骤8中所述晶片Ⅰ和晶片Ⅱ清洗方法为，将晶片Ⅰ和晶片Ⅱ按顺序放置到清洗花篮中，将花篮置于超声波清洗机中用专用清洗液清洗；

所述晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的尺寸为φ30mm～φ160mm的圆片，厚度为300μm～700μm，TTV为0μm～5μm，Warp为0μm～40μm；

所述晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的材质均为碳化硅或硅片或蓝宝石或氧化镓。