[发明专利]一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法

说明书

本发明涉及一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法，选择晶片Ⅰ和晶片Ⅱ；测量晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的厚度，测量点为晶片的中心点和边缘三点，做好标记为；将晶片I和晶片II的A面贴合，将贴合好的晶片进行滚圆处理成为一个同心圆；开启双面研磨机对晶片进行研磨，研磨结束后去除晶片表面的磨料；将晶片Ⅰ和晶片Ⅱ分离；对晶片Ⅰ和晶片Ⅱ进行清洗去除粘贴剂；测量晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的厚度，测量点为晶片的中心点、边缘三点，做好标记为；测量点与粘贴前的测量点保持一致，晶片Ⅰ的测量点标记为通过差减法计算晶片表面同一点研磨前后的厚度变化量，得到双面研磨过程中晶片上表面、下表面、边缘的去除量，提高了测量准确度。

技术领域

本发明设计一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法，属于半导体材料的加工领域。

背景技术

双面研磨工艺主要用于平面工件的双面研磨加工，双面研磨的工作原理是：上、下研磨盘在电机的带动下做相反方向转动，利用游星轮将工件置于上下盘之间，游星轮分别与内齿、外齿圈噬合，内齿和外齿圈带动游星轮进行公转和自转，工件在游轮的带动下在上下研磨/抛光盘间做行星运动，通过气缸给上盘施加压力，研磨液充满上下盘之间的空隙，在磨料的作用下可以同时实现工件上下两表面的研磨加工。CN113601376A公开了一种碳化硅双面抛光中单面抛光速率的测定方法，采用边缘轮廓仪分别监控抛光过程中硅面和碳面面幅长度的变化，采用几何关系式计算出硅面和碳面的抛光速率，此方法严重依赖边缘轮廓仪的测量精度，测量误差较大，并且晶片边缘必须采用T型倒角该方法才可适用；中国专利CN112846977A中，公开了一种减小双面研磨工件平面度误差的方法，采用上盘或下盘与工件相对运动轨迹计算公式得到工件与研磨盘间的瞬时相对速度，然后根据Preston方程，计算出各点的材料去除速率，通过计算上下面的面形变化，得到翻面时间，最后，经过多次翻面，实现双面平面度的收敛，此方法仅仅能得出加工过程中的材料去除趋势，并且计算过程非常复杂。

工件上下表面的去除速率差异会直接影响加工工件的弯曲度和翘曲度，确定上下表面去除速率对于调整双面研磨工艺，改善加工晶片的几何参数，具有指导意义；另外双面研磨之前要对工件进行倒角，确定上下表面去除速率对倒角工艺的调整也具有指导意义。

发明内容

本发明针对双面研磨过程不可视、计算晶片表面各点相对速度复杂、晶片上下表面去除量无法精准测量等问题，旨在解决现有技术的不足，提出一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法，通过粘贴剂将两个尺寸相同的晶片粘贴到一起，对粘贴晶片进行双面研磨加工，通过分别测量两个粘贴晶片厚度的去除量，得到双面研磨晶片上下表面的去除量，可以不受晶片倒角工艺的约束，大大提高了测量准确度。