[发明专利]半导体器件及其操作方法、装置和计算机可读存储介质

说明书

本发明提供了一种半导体器件的操作方法，所述半导体器件包括多个熔断器组，所述熔断器组包括第一熔断器和多个第二熔断器，所述操作方法包括：加载一熔断器组内的第一熔断器，获取第一熔断器的数据；根据所述第一熔断器的数据，对同一熔断器组内的第二熔断器进行处理。本发明通过针对性的对使用的熔断器组进行加载，从而减少了熔断器加载的时间，提高了加载效率。本发明还提供了一种半导体器件及其操作装置，计算机可读存储介质。

技术领域

本发明属于集成电路领域，尤其涉及一种半导体器件及其操作方法、装置和计算机可读存储介质。

背景技术

存储器通常包含存储（单元）阵列，阵列中的存储单元借助于输入到存储器的行及列地址信号经选择用于进行读取及写入。行及列地址信号由地址解码电路系统处理以选择阵列中的行线及列线来存取所期望的多个存储单元。

当制造存储器时，有缺陷的存储单元可能出现于存储阵列中，为了提高存储器的良率，通常会实施冗余，即在存储器中设置一些冗余的存储单元。存储器制成后，将对每一个存储单元进行测试。当在存储器阵列中检测到有缺陷的存储单元时，就需要用冗余的存储单元来进行替换。通常使用熔断器来设置需要替换的有缺陷的存储单元的地址。根据熔断器的打断与否，可以得到不同的值，从而得到不同对应的地址值。当输入的地址与熔断器设置的地址值一致时，该地址对应的存储单元就会被冗余的存储单元所替换。

一般来说，熔断器的数据会在存储器启动的时候被获取，然后把熔断器的数据存储到相应的地方，这个过程称为熔断器的加载过程。随着存储器的容量的不断增加，其所需要的地址数量增加，同时需要的冗余存储单元也不断增加。这就使得需要的熔断器的数量也不断增加，也不断延长了整个熔断器加载的过程。

因此，如何优化熔断器的加载方法，进一步提高熔断器的加载效率，是亟待解决的问题。

发明内容

本发明是为解决上述现有技术的全部或部分问题，提供了一种半导体器件的操作方法，针对性的对使用的熔断器进行加载，从而减少了熔断器加载的时间，提高加载效率。

本发明实施例提供了一种半导体器件的操作方法，所述半导体器件包括多个熔断器组，所述熔断器组包括第一熔断器和多个第二熔断器，所述操作方法包括：加载一熔断器组内的第一熔断器，获取第一熔断器的数据；根据所述第一熔断器的数据，对同一熔断器组内的第二熔断器进行处理。本发明先通过加载熔断器组内的第一熔断器，再根据第一熔断器的数据，对熔断器组内的第二熔断器进行处理。如此，可以有针对性的对使用的熔断器进行加载，从而合理减少熔断器加载的时间，避免了因熔断器数量不断增加而导致加载时间也不断累加的缺陷，为提高加载效率提供了可行的方案。

根据所述第一熔断器的数据，对同一熔断器组内的第二熔断器进行处理，包括：在所述第一熔断器的数据指示所述熔断器组已使用的情况下，加载所述熔断器组内的第二熔断器；和/或，在所述第一熔断器的数据指示所述熔断器组未使用的情况下，不加载所述熔断器组内的第二熔断器。判断第一熔断器的数据是否指示熔断器组对应的冗余存储单元已使用；在判断结果为否的情况下，不加载熔断器组内的第二熔断器。如此，减少了第二熔断器的加载，提高了整体熔断器组的加载速度。

所述操作方法还包括：重复执行上述实施例中所述方法的步骤直至完成所有熔断器组的加载。

所述半导体器件包括多个冗余存储单元，所述冗余存储单元用于替换缺陷存储单元；其中，所述熔断器组与所述冗余存储单元一一对应，所述熔断器组的第二熔断器数量与所述缺陷存储单元的地址位数相等。如此，在占用较小的面积下使得第二熔断器可以有效指示缺陷存储单元的地址。在其他实施例中，熔断器组的第二熔断器数量大于缺陷存储单元的地址位数。如此，预留多余的第二熔断器可以作为备用，防止第二熔断器缺陷无法有效指示缺陷存储单元的地址。